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刘国利

作品数：23 被引量：20H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 10篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 12篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 14篇激光
  • 14篇激光器
  • 10篇调制
  • 9篇电吸收
  • 9篇电吸收调制
  • 8篇调制器
  • 7篇多量子阱
  • 7篇DFB激光器
  • 5篇反馈激光器
  • 5篇分布反馈激光...
  • 5篇半导体
  • 4篇电吸收调制D...
  • 4篇电吸收调制器
  • 4篇调谐
  • 4篇量子阱材料
  • 4篇可调
  • 4篇可调谐
  • 4篇波长
  • 4篇波导
  • 3篇光栅

机构

  • 23篇中国科学院
  • 1篇国家光电子工...

作者

  • 23篇刘国利
  • 22篇王圩
  • 20篇朱洪亮
  • 13篇张静媛
  • 8篇汪孝杰
  • 7篇陈娓兮
  • 5篇周帆
  • 4篇张佰君
  • 2篇董杰
  • 2篇许国阳
  • 2篇孙洋
  • 1篇王鲁峰
  • 1篇陈博
  • 1篇王玉田
  • 1篇马朝华
  • 1篇胡小华
  • 1篇叶小玲
  • 1篇张子莹

传媒

  • 5篇Journa...
  • 2篇中国激光
  • 2篇高技术通讯
  • 1篇半导体光电
  • 1篇第十一届全国...

年份

  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 4篇2003
  • 5篇2002
  • 8篇2001
  • 2篇2000
  • 1篇1998
共 23 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
低阈值1.3μmInGaAsP/InP应变补偿多量子阱DFB激光器LP┐MOCVD生长
1998年
本文报道了用低压－金属有机化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）方法制作１．３μｍ应变补偿多量子阱结构材料．Ｘ射线双晶衍射摇摆曲线可清晰地看到±４级卫星峰和卫星峰间的Ｐｅｎｄｅｌ－ｌｏｓｏｎｇ条纹．整个有源区的平均应变量几乎为零．用掩埋异质结（ＢＨ）条形工艺制备的含一级光栅的ＤＦＢ激光器室温下阈值电流２～４ｍＡ，外量子效率０．３３ｍＷ／ｍＡ，线性输出光功率达３０ｍＷ，边模抑制比（ＳＭＳＲ）大于３５ｄＢ．２０～４０℃下的特征温度Ｔ０为６７Ｋ．
陈博王圩汪孝杰张静媛朱洪亮周帆王玉田马朝华张子莹刘国利
关键词：DFB激光器LP-MOCVD
单脊条形可调谐电吸收调制DFB激光器被引量：8
2001年
报道了一种波长可热调谐的电吸收调制分布反馈激光器(Electroabsorptionmodulateddistributedfeedbacklaser,EML)。在激光器条形的侧面淀积一薄膜加热器,EML实现了 2 2nm的连续调谐。在调谐范围内,激光器输出功率的变化小于 3dB。采用端面有效反射率方法和耦合波理论的计算表明:采用相调制方法,可实现调谐范围达3 2nm的EML。如果热调谐与相调谐方法结合。
刘国利王圩张静媛陈娓兮汪孝杰朱洪亮
关键词：DFB激光器电吸收调制器
新型平面型DFB内光栅耦合结构制作方法
一种新型平面型DFB内光栅耦合结构制作方法,包括:在衬底1上的InP或GaAs外延结构层上生长一层介质膜7;在介质膜上刻制出亚微米周期性介质掩膜光栅图形;以这种周期性介质为掩体,向外延结构层表面选择注入离子源或选择扩散杂...
朱洪亮王圩刘国利张静媛
文献传递
选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法
一种选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法，在磷化铟衬底上淀积二氧化硅层；在图形衬底上生长多量子阱有源区；在激光器区域制作布拉格光栅，在调制器区域刻制窗口，同时得到刻蚀波导所需的刻蚀停止层；在激光器与调制器形成光...
刘国利王圩陈娓兮朱洪亮
文献传递
选择区域生长高质量InGaAsP多量子阱材料被引量：1
2001年
采用 L P- MOVPE在 Si O2 掩膜的 In P衬底上实现了高质量的 In Ga As P多量子阱 (MQW)的选择区域生长(SAG) .通过改变生长温度和生长压力 ,MQW的适用范围由 C波段扩展至 L 波段 ,即 MQW的光致发光波长从15 46 nm延展至 16 2 1nm.光致发光 (PL)测试表明 :在宽达 75 nm的波长范围内 ,MQW的质量与非选择生长的MQW质量相当 ,并成功制作出电吸收调制 DFB激光器 (EML) .
刘国利王圩张佰君许国阳陈娓兮叶小玲张静媛汪孝杰朱洪亮
关键词：INGAASP多量子阱材料半导体材料
低波长漂移的电吸收调制DFB激光器被引量：2
2001年
采用端面有效反射率法 ,从理论上计算了单片集成电吸收调制 DFB激光器 (Electroabsorption ModulatedDFB L aser,EML)的腔面反射率、耦合强度 (κL)对其波长漂移的影响 .同时在实验中通过改变腔面的反射率来验证计算结果 .理论与实验的结果表明 :为提高 EML 的模式稳定性 ,必须减小调制器一端的反射率 ,同时增加DFB激光器的 κL.最终我们采用选择区域生长 (Selective Area Growth,SAG)的方法 ,制作了低光反馈出光面的单脊条形 EML,在 2 .5 Gb/ s的非归零 (NRZ)码调制下 ,经过 2 80 km的标准光纤传输后 ,没有发现色散代价 .
刘国利王圩汪孝杰张佰君陈娓兮张静媛朱洪亮
关键词：DFB激光器电吸收调制器
1.55μm InGaAsP-MQW自对准压缩台面高速DFB激光器被引量：2
2002年
采用一种自对准压缩台面结构制作高速 1.5 5 μmDFB激光器。激光器的典型阈值为 12mA ,单面斜率效率达 0 .15 7mW /mA ,出光功率大于 2 0mW。由于采用窄条p InP作为电流阻挡层 ,因此激光器的寄生电容可降至 2 .5 pF ,- 3dB调制带宽可达 9.
张静媛刘国利朱洪亮周帆孙洋汪孝杰王圩
关键词：DFB激光器多量子阱局域网
混合波导结构电吸收调制分布反馈激光器和制作方法
本发明一种混合波导结构电吸收调制分布反馈激光器，包括：脊型波导结构电吸收调制器；脊型波导结构的隔离区，该隔离区与该电吸收调制器相连；掩埋异质结构DFB隔离区，该激光器与该隔离区相连；所说的电吸收调制器、隔离区、激光器均制...
刘国利王圩朱洪亮
文献传递
选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法
一种选择区域外延制作电吸收调制分布反馈激光器的方法,在磷化铟衬底上淀积二氧化硅层;在图形衬底上生长多量子阱有源区;在激光器区域制作布拉格光栅,在调制器区域刻制窗口,同时得到刻蚀波导所需的刻蚀停止层;在激光器与调制器形成光...
刘国利王圩陈娓兮朱洪亮
文献传递
高速、可调谐光通信用长波长半导体激光器
本文报道了几种作者最近制作的适用于光通信的高速,可调谐长波长半导体激光器,以满足长途、干线光通信对光源低调啾的要求.
王鲁峰刘国利张静媛朱洪亮王圩
关键词：半导体激光器光通信
文献传递
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