王林飞
- 作品数：11 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术核科学技术理学电子电信更多>>
- 一种电路仿真方法及装置
- 本发明提供了一种电路仿真方法及装置，所述方法包括：接收所述电路对应的物理拓扑结构图；根据地址译码信号线、数据读写信号线及ATD控制信号线在所述物理拓扑结构图中确定仿真路径；对所述仿真路径对应的储存单元阵列进行处理，获取简...
- 王林飞罗家俊韩郑生刘海南陈丽坤张宏远周月琳
- 一种存内计算装置及计算方法
- 本发明公开一种存内计算装置及计算方法，涉及存内计算芯片设计技术领域，以解决现有技术中在同时输出信号的原信号和反向信号时需要额外配置反相器导致反向信号相对于原信号的延时以及功耗增加的问题。存内计算装置的存内计算列包括计算单...
- 王林飞张杰李倩刘海南李博
- 一种集成芯片的制作方法
- 本发明公开了一种集成芯片的制作方法，包括：将目标器件分解成N个第一小器件；将目标器件与M个第二小器件串联或并联；通过两个MOS管的通断来控制是否接入第一小器件或第二小器件；将译码器的输出端与两个MOS管中的第一栅极相连，...
- 王林飞刘海南罗家俊韩郑生张宏远
- 文献传递
- 一种存内计算装置及存内计算方法
- 本发明公开一种存内计算装置及存内计算方法，涉及存内计算芯片设计技术领域，以解决现有技术中计算单元使用晶体管数量较多的问题。存内计算装置包括多个存内计算列以及控制单元；所述存内计算列包括计算单元和多个存储单元，所述计算单元...
- 王林飞张杰李倩刘海南李博
- 130 nm 7T SOI SRAM总剂量与单粒子协和效应研究
- 2024年
- 为进一步阐明SOI器件中总剂量效应(TID)与单粒子效应(SEE)间的协和效应,本文基于SOI工艺特征尺寸为130 nm的国产7T结构SRAM进行了相关研究。通过对4组SOI SRAM开展了不同TID辐照后的SEE实验,得到器件单粒子翻转(SEU)截面随TID的变化规律。SOI SRAM的SEU截面在TID辐照后呈现明显的降低,最大在750 krad(Si)剂量辐照后下降80.5%。器件的饱和截面呈现随剂量增加而下降的趋势,最大下降19.5%,研究中未发现SEU阈值的明显变化。分析认为,延迟晶体管N5的等效关态电阻因为TID辐照而增加,该现象会造成N5的延迟作用增强,是该款器件SEU截面下降的主要原因。采用这种7T结构的SOI SRAM的抗SEE性能会随其在轨累积剂量的增加而逐渐增强,这为今后电子器件的抗辐射加固提供了启示。
- 肖舒颜郭刚王林飞张峥陈启明高林春王春林张付强赵树勇刘建成
- 关键词：总剂量效应单粒子效应单粒子翻转静态随机存储器
- 一种电路仿真方法及装置
- 本发明提供了一种电路仿真方法及装置，所述方法包括：接收所述电路对应的物理拓扑结构图；根据地址译码信号线、数据读写信号线及ATD控制信号线在所述物理拓扑结构图中确定仿真路径；对所述仿真路径对应的储存单元阵列进行处理，获取简...
- 王林飞罗家俊韩郑生刘海南陈丽坤张宏远周月琳
- 文献传递
- 一种新型隧穿场效应晶体管
- 2019年
- 提出了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET)结构,该结构通过在常规TFET靠近器件栅氧化层一侧的漏-体结界面引入一薄层二氧化硅(隔离区),从而减小甚至阻断反向栅压情况下漏端到体端的带带隧穿(BTBT),减弱TFET的双极效应,实现大幅度降低器件泄漏电流的目的。利用TCAD仿真工具对基于部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)和全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)的TFET和新型TFET结构进行了仿真与对比。仿真结果表明,当隔离区宽度为2 nm,高度大于10 nm时,可阻断PDSOI TFET的BTBT,其泄漏电流下降了4个数量级;而基于FDSOI的TFET无法彻底消除BTBT和双极效应,其泄漏电流下降了2个数量级。因此新型结构更适合于PDSOI TFET。
- 卜建辉许高博许高博李多力蔡小五韩郑生王林飞
- 关键词：泄漏电流
- 一种集成芯片的制作方法
- 本发明公开了一种集成芯片的制作方法，包括：将目标器件分解成N个第一小器件；将目标器件与M个第二小器件串联或并联；通过两个MOS管的通断来控制是否接入第一小器件或第二小器件；将译码器的输出端与两个MOS管中的第一栅极相连，...
- 王林飞刘海南罗家俊韩郑生张宏远
- 文献传递
- 存储器验证电路以及验证方法
- 本发明公开了一种存储器验证电路以及验证方法，所述验证电路包括块译码器和两个以上存储模块，每个存储模块包括行译码器、列译码器以及存储阵列，每个存储阵列包括呈阵列排布的存储单元，属于相同存储阵列的存储单元相同，属于不同存储阵...
- 王林飞韩郑生罗家俊刘海南邢劼思
- 文献传递
- 一种SRAM存储单元
- 本发明公开一种SRAM存储单元，本发明涉及芯片设计技术领域，用于解决现有存储结构不能同时保证写能力和半选单元的稳定性的问题。包括：交叉耦合反相器、读通路以及存取晶体管；交叉耦合反相器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第...
- 王林飞李倩张杰崔鹏宇廖翌如刘海南李博
