王前进
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：云南师范大学物理与电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 氧化锌稀磁半导体的铁磁性机理及其调控研究
- 2017年
- 氧化锌半导体及其器件特别是氧化锌稀磁半导体兼具有半导体和磁性的双重性质，将对信息处理和存储领域发生根本性的革命。氧化锌稀磁半导体铁磁性的起源及其调制是长期以来困扰其器件化应用的关键问题。
- 王金斌钟向丽闫海龙王前进孙立忠
- 关键词：稀磁半导体氧化锌铁磁性信息处理
- 基于Au纳米岛修饰的CdSSe纳米带光电探测器
- 2023年
- 三元合金CdS_(x)Se_(1-x)兼具CdS和CdSe的物理性质,其带隙可以通过改变元素的组分来调节.该合金具有优异的光电性能,在光电器件方面具有潜在的应用价值.本文首先通过热蒸发法制备了单晶CdS_(0.42)Se_(0.58)纳米带器件,在550 nm光照及1 V偏压下,器件的光电流与暗电流之比为1.24×10^(3),光响应度达60.1 A/W,外量子效率达1.36×10^(4)%,探测率达2.16×10^(11)Jones,其上升/下降时间约为41.1/41.5 ms.其次,通过Au纳米岛修饰该CdS_(0.42)Se_(0.58)纳米带后,器件的光电性能显著提升,在550 nm光照及1 V偏压下,器件的光开关比、响应度、外量子效率及探测率分别提高了5.4倍、11.8倍、11.8倍和10.6倍,并且上升/下降时间均缩短了近一半.最后基于Au纳米岛的局域表面等离子共振解释了器件光电性能增强的微观物理机制,为在不增大器件面积的前提下,制备高性能光电探测器提供了一种有效策略.
- 赵吉玉谭秋红谭秋红杨伟业王前进王前进
- 关键词：光电探测器
- GeS/MoS_(2)异质结电子结构及光学性能的第一性原理研究被引量：1
- 2022年
- 以MoS_(2)、GeS为代表的二维层状材料在光学、电学等方面表现出优异的物理性能。如何将两者的优良性能结合,同时获得具有新的协同功能的复合材料对电子器件的发展和应用具有重要意义。本文采用密度泛函理论的第一性原理计算方法,对GeS/MoS_(2)异质结的电子结构及光学性质进行了系统研究,并探索了界面间距、应变和电场对异质结电子结构和光学性能的影响。研究结果表明,GeS/MoS_(2)异质结是Ⅱ型能带排列,该能带排列有利于光生电子-空穴对的分离。进一步研究发现,通过应变和电场等手段可以实现对GeS/MoS_(2)异质结能带排列及光吸收系数的有效调控。该研究结果表明GeS/MoS_(2)异质结在光催化、光电器件等领域具有潜在的应用,为设计与制备GeS/MoS_(2)相关的光电器件提供了理论指导。
- 梁志华谭秋红王前进刘应开
- 关键词：电子结构光学性能第一性原理
