付刚
- 作品数：5 被引量：23H指数：4
- 供职机构：广州师范学院物理系更多>>
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- 相关领域：电子电信化学工程一般工业技术电气工程更多>>
- 钙钛矿结构陶瓷N型半导化评述被引量：6
- 2000年
- 从变价金属氧化物n型半导化的内在因素出发,分析了ABO_3型钙铁矿结构的特点,总结归纳结构因素对n型半导化影响的主要规律。综合分析了钙铁矿结构氧化物陶瓷半导化已有的一些较系统的实验研究结果,表明这些结果与本文得到的主要规律能够相互印证。对钙钛矿结构氧化物半导体陶瓷中的电子导电机制,也作了进一步的阐明。
- 陈志雄周方桥付刚唐大海
- 关键词：钙钛矿结构半导体陶瓷结构陶瓷
- BaO对高温压敏电阻器漏电流的影响
- 1996年
- 在ＺｎＯ高温压敏电阻原料中加入不同比例的ＢａＯ，研究其对高温压敏电阻漏电流和高温下长期工作的稳定性的影响．发现ＢａＯ含量较高时，不但可以降低ＺｎＯ压敏电阻常温下的漏电流，而且可以增加其在高温下长期工作的稳定性．
- 石康源石滨付刚陈志雄
- 关键词：压敏电阻器高温漏电流稳定性氧化钡
- ZnO压敏陶瓷电流蠕变规律及其机理研究被引量：7
- 1995年
- ZnO压敏陶瓷在工作电压长期作用下,漏电流会逐渐增大,当此种电流蠕变现象严重时,表明压敏陶瓷的工作是不稳定的;将烧结好的陶瓷热处理,是改善其工作稳定性的有效方法之一.根据晶界缺陷化学模型,认为工作不稳定是晶界肖特基势垒不稳定的结果,而这又是由于构成势垒的亚稳成分填隙锌离子Zn_i^+和Zn_i^(2+)所致;
- 陈志雄石滨付刚唐大海
- 关键词：压敏陶瓷氧化锌晶界层
- 深度热处理ZnO压敏陶瓷的晶界缺陷模型被引量：4
- 1997年
- 对６５０￣９００℃之间深度热处理ＺｎＯ压敏陶瓷的研究表明，在直流偏置电压作用下，漏电流随时间的蠕变曲线呈现峰值，正向伏安特性非但没有退化，反而得到改进。设想是由于热处理时，耗尽层中Ｚｎｉ向外扩散速度快，以致耗尽层中Ｚｎｉ浓度迅速降低，结果扩散进入晶界的氧以Ｏ＇ｏ形式得以在界面积累；原来主要由Ｖ＇Ｚｎ构成的界面负电荷转变为主要由Ｖ＇Ｚｎ和Ｏ＇ｏ共同构成，在偏压作用下Ｏ＇ｏ发生迁移所致。
- 陈志雄林国淙付刚唐大海
- 关键词：氧化锌压敏陶瓷
- 影响钙钛矿结构陶瓷n型半导化的结构因素被引量：7
- 1999年
- 综合分析了ＡＢＯ３钙钛矿结构陶瓷半导化已有的一些实验结果，总结归纳出晶体结构因素对半导体化影响的一些基本规律。指出这一类型陶瓷在实现ｎ型半导化时由固有的晶体结构所决定的有利及不利因素，而其中有些不利因素的影响,可通过某些工艺措施予以降低。
- 陈志雄付刚唐大海
- 关键词：钙钛矿陶瓷半导体
