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徐敏杰

作品数：25 被引量：0H指数：0
供职机构：杭州士兰集成电路有限公司更多>>
相关领域：电子电信医药卫生更多>>

合作作者

文献类型

  • 20篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 9篇电子电信
  • 1篇医药卫生

主题

  • 15篇二极管
  • 9篇电容
  • 9篇TVS器件
  • 9篇VCC
  • 7篇半导体
  • 7篇半导体集成
  • 6篇外延层
  • 4篇电压
  • 4篇三极管
  • 4篇稳压二极管
  • 4篇管芯
  • 4篇二极管芯片
  • 3篇电极
  • 3篇电源
  • 3篇双向触发二极...
  • 3篇基极
  • 3篇集电极
  • 3篇工作电压
  • 3篇恒流
  • 3篇恒流二极管

机构

  • 23篇杭州士兰集成...
  • 3篇兰州大学

作者

  • 25篇徐敏杰
  • 13篇王英杰
  • 12篇崔建
  • 9篇张常军
  • 6篇周琼琼
  • 5篇王平
  • 5篇刘宪成
  • 3篇韩健
  • 2篇杨建红
  • 2篇蔡雪原
  • 1篇魏莹
  • 1篇王旭
  • 1篇王平

传媒

  • 2篇中国集成电路
  • 1篇半导体技术
  • 1篇红外

年份

  • 3篇2023
  • 7篇2018
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
共 25 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
双向低电容TVS器件及其制造方法
公开了一种双向低电容TVS器件及其制造方法中，通过半导体集成工艺形成双向低电容TVS器件由此可以提高双向低电容TVS器件的可靠性。进一步地，在双向低电容TVS器件中形成的第一普通二极管与第一稳压二极管纵向串联以及第二普通...
张常军徐敏杰周琼琼
单向低电容TVS器件及其制造方法
公开了一种单向低电容TVS器件及其制造方法中，通过半导体集成工艺形成单向低电容TVS器件由此可以提高单向低电容TVS器件的可靠性。进一步地，在单向低电容TVS器件中形成的第一普通二极管与稳压二极管纵向串联，降低单向低电容...
张常军徐敏杰周琼琼
LED保护二极管的结构及其制造方法
本发明的一种LED保护二极管芯片制造方法及其LED保护二极管芯片的结构和具有保护二极管芯片的保护装置，其步骤包括在P+衬底上进行N型外延、对N型外延表面进行氧化、光刻刻蚀、P+窗口进行P+硼扩散等步骤。LED保护二极管芯...
王英杰王平崔建徐敏杰
文献传递
一种双向触发二极管芯片及其制作方法
本发明提供一种双向触发二极管芯片及其制作方法，利用双极型晶体管的发射极与基极串联电阻后，集电极与发射极之间的反向击穿电压随着电阻大小不同具有不同的负阻特性的原理，形成两个对称的且共用集电区的双极型晶体管，且每个平面双极型...
王英杰徐敏杰刘宪成崔建
文献传递
单向低电容TVS器件及其制造方法
公开了一种单向低电容TVS器件及其制造方法，通过半导体集成工艺形成单向低电容TVS器件由此可以提高单向低电容TVS器件的可靠性，降低单向低电容TVS器件的体积。进一步地，在单向低电容TVS器件中形成了第一三极管、第二三极...
张常军徐敏杰
高工作电压LED保护二极管及其结构和相应的制造方法
本发明提出一种高工作电压LED保护二极管，包括：PNP三极管、NPN三极管、P/N+反向二极管、P/N外延二极管和P/N+正向二极管模块；PNP三极管的发射极与P/N外延二极管的负极连接，PNP三极管的基极、P/N+反向...
王英杰王平韩健崔建徐敏杰
双向触发二极管芯片
本实用新型提供一种双向触发二极管芯片，包括：形成于一衬底正面上的外延层；形成于所述衬底与外延层之间的埋层；形成于所述外延层中的基区、二极管掺杂区、电阻区；形成于所述基区中的发射区；以及贯穿所述外延层并延伸至衬底中的隔离槽...
王英杰徐敏杰刘宪成崔建
文献传递
单向低电容TVS器件及其制造方法
公开了一种单向低电容TVS器件及其制造方法，通过半导体集成工艺形成单向低电容TVS器件由此可以提高单向低电容TVS器件的可靠性，降低单向低电容TVS器件的体积。进一步地，在单向低电容TVS器件中形成了第一三极管、第二三极...
张常军徐敏杰
文献传递
恒流二极管及其制造方法
本发明提供了一种恒流二极管，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述衬底和外延层之间的第一掺杂区；形成于所述外延层中的第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区；形成于所述第三掺杂区表面的第一正电极和形成于所述第二掺杂区...
王英杰徐敏杰崔建丁伯继
文献传递
一种新结构LED保护器件的设计研究
2014年
针对现有LED旁路保护器件的技术不足,提供了一种低成本但又能满足实际需求的LED局部损坏旁路保护器件的结构。所设计的保护器件集成了晶闸管、电阻及二极管等结构,以四层晶闸管为核心部件,利于提高瞬变电压的耐受能力;在其中增设两个二极管,分别用于调整器件正向工作时的启动电压和为反向工作时提供电流通道。经过流片、封装、测试,获得了主要性能参数。测试结果表明,当正向电压大于4.5V时,器件内部的可控硅结构被触发启动,器件性能符合设计要求。
王平徐敏杰王英杰刘宪成
关键词：LED保护器件晶闸管
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