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黄军军

作品数:9 被引量:8H指数:1
供职机构:电子科技大学更多>>
相关领域:电子电信电气工程更多>>

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 6篇电路
  • 3篇半导体
  • 2篇电阻
  • 2篇氧化层
  • 2篇源极
  • 2篇栅极
  • 2篇栅极电压
  • 2篇栅氧化
  • 2篇栅氧化层
  • 2篇取样电阻
  • 2篇自举
  • 2篇自举电路
  • 2篇闩锁
  • 2篇漏极
  • 2篇互连
  • 2篇互连线
  • 2篇集成电路
  • 2篇寄生
  • 2篇高压电路
  • 2篇高压集成电路

机构

  • 9篇电子科技大学

作者

  • 9篇黄军军
  • 8篇乔明
  • 7篇张波
  • 6篇齐钊
  • 4篇马金荣
  • 4篇薛腾飞
  • 2篇曲黎明
  • 2篇张昕
  • 2篇文帅
  • 1篇章文通

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 4篇2014
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
一种电平位移电路
本发明涉及电子电路技术,具体的说是涉及一种具有与耐压管输出端直接相连的后级反相器栅极保护结构的电平位移电路。本发明电平位移电路,包括依次连接的高压电平位移电路(1)、高端CMOS电路(3)、外围自举电路(4)和半桥电路输...
乔明黄军军薛腾飞马金荣齐钊张波
文献传递
一种具有抗闩锁能力的可关断SCR器件
本发明涉及电子技术,具体的说是涉及一种具有抗闩锁能力的可关断SCR器件。当外加ESD脉冲时,RC触发电路向栅极电压提供高电位,开启NMOS,从而有效的开启SCR,达到泄放电流的目的;ESD脉冲电流泄放后,RC触发电路向栅...
乔明马金荣齐钊黄军军曲黎明张波
文献传递
一种高压集成电路
本发明涉及半导体功率器件技术领域,具体的说是涉及一种高压集成互连电路。本发明的高压集成电路,包括通过高压互连线4连接的LDMOS区和高压电路区,所述LDMOS区包括LDMOS源极1、LDMOS漏极2和P型阱区3;所述LD...
乔明张昕文帅齐钊黄军军薛腾飞张波
文献传递
一种电流模升压DC-DC开关电源的研究与设计
近年来,随着微电子技术和通讯技术迅速发展,极大地促进消费电子的研发和普及,电子设备已融入人类生活和工作之中,成为现代生活不可缺少的一部分。然而,不论是生活中所需的普通电器,还是应用尖端科技的电子仪器、电气设备,稳定可靠的...
黄军军
关键词:开关电源DC-DC变换器LED驱动电路设计
文献传递
一种高精度过温保护电路的设计被引量:8
2015年
设计了一种高精度的过温保护电路。利用晶体管基极和发射极的负温特性实现温度检测,通过将检测点电压和设定的电压相比较,检测是否过温。由于使用了一个高、低阈值可调的高精度滞回比较器,并且阈值电压点电压由与温度无关的带隙基准提供,因此实现较高的精度和可靠性。通过Cadence Spectre工具基于某公司0.35μm CMOS工艺进行了仿真验证。该设计具有20℃温度迟滞,热关断点为125℃,热开启点为105℃,在3~5.5 V的电压范围内,热关断点和热开启点温度最大漂移不超过0.4℃。
黄军军乔明
关键词:过温保护
一种电平位移电路
本发明涉及电子电路技术,具体的说是涉及一种具有与耐压管输出端直接相连的后级反相器栅极保护结构的电平位移电路。本发明电平位移电路,包括依次连接的高压电平位移电路(1)、高端CMOS电路(3)、外围自举电路(4)和半桥电路输...
乔明黄军军薛腾飞马金荣齐钊张波
文献传递
一种横向高压超结功率半导体器件
本发明涉及功率半导体技术,具体的说是涉及一种电荷补偿的横向高压超结功率半导体器件。本发明的横向高压超结功率半导体器件,在P型衬底层表面覆盖一层N型电荷补偿层的结构,N型电荷补偿层有多种掺杂方式,包括均匀掺杂、线性掺杂及离...
乔明章文通黄军军张波
文献传递
一种具有抗闩锁能力的可关断SCR器件
本发明涉及电子技术,具体的说是涉及一种具有抗闩锁能力的可关断SCR器件。当外加ESD脉冲时,RC触发电路向栅极电压提供高电位,开启NMOS,从而有效的开启SCR,达到泄放电流的目的;ESD脉冲电流泄放后,RC触发电路向栅...
乔明马金荣齐钊黄军军曲黎明张波
文献传递
一种高压集成电路
本发明涉及半导体功率器件技术领域,具体的说是涉及一种高压集成互连电路。本发明的高压集成电路,包括通过高压互连线4连接的LDMOS区和高压电路区,所述LDMOS区包括LDMOS源极1、LDMOS漏极2和P型阱区3;所述LD...
乔明张昕文帅齐钊黄军军薛腾飞张波
共1页<1>
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