您的位置： 专家智库 > >

周锌

作品数：104 被引量：10H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信医药卫生核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 87篇专利
  • 14篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 45篇电子电信
  • 1篇核科学技术
  • 1篇医药卫生

主题

  • 47篇半导体
  • 28篇功率器件
  • 27篇高压器件
  • 21篇半导体功率器...
  • 20篇导电类型
  • 20篇击穿电压
  • 20篇横向高压器件
  • 18篇半导体器件
  • 17篇功率半导体
  • 16篇氧化层
  • 16篇总剂量
  • 16篇芯片
  • 16篇功率半导体器...
  • 15篇电阻
  • 15篇互连
  • 13篇导通
  • 13篇导通电阻
  • 13篇总剂量辐射
  • 13篇芯片面积
  • 13篇抗辐射

机构

  • 104篇电子科技大学
  • 15篇电子科技大学...
  • 4篇中国电子科技...
  • 2篇中国电子科技...
  • 2篇四川长虹电器...
  • 2篇北京振兴计量...
  • 2篇株洲中车时代...
  • 2篇北京国联万众...
  • 1篇重庆邮电大学
  • 1篇中国电子科技...
  • 1篇中科芯集成电...
  • 1篇山东省产品质...
  • 1篇河北新华北集...

作者

  • 104篇周锌
  • 84篇乔明
  • 75篇张波
  • 22篇何逸涛
  • 19篇温恒娟
  • 15篇向凡
  • 14篇李燕妃
  • 14篇李肇基
  • 13篇吴文杰
  • 10篇王钊
  • 9篇代刚
  • 9篇许琬
  • 8篇赵凯
  • 7篇张昕
  • 7篇王裕如
  • 5篇章文通
  • 4篇王卓
  • 4篇张晓菲
  • 3篇祁娇娇
  • 3篇陈涛

传媒

  • 6篇微电子学
  • 3篇电子与封装
  • 1篇半导体技术
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇电力电子技术
  • 1篇通讯世界
  • 1篇现代应用物理
  • 1篇2013年全...

年份

  • 6篇2024
  • 10篇2023
  • 8篇2022
  • 9篇2021
  • 12篇2020
  • 8篇2019
  • 4篇2018
  • 4篇2017
  • 2篇2016
  • 12篇2015
  • 5篇2014
  • 13篇2013
  • 9篇2012
  • 2篇2011
共 104 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
低辐射漏电高压LDMOS器件
本发明提供了一种低辐射漏电高压LDMOS器件结构，该器件包括AB、AC和AD三个不同截面结构。相比传统高压LDMOS器件结构，本发明在AB截面和AD截面之间增加了一个AC截面结构。元胞区和非元胞区(场区)交界处往非元胞区...
周锌陈星江吴中华王钊耿立明乔明张波
文献传递
具有低比导通电阻的横向高压器件
本发明提供一种具有低比导通电阻的横向高压器件，包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质源区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏区、介质层、多晶硅栅、源...
周锌赵凯马阔王睿迪乔明张波
文献传递
低辐射漏电高压LDMOS器件结构
本发明提供一种低辐射漏电高压LDMOS器件结构，该器件包括AB、AC两个不同截面结构。相比传统高压LDMOS器件结构，本发明在器件元胞区和非元胞区交界处的两侧，即AB和AC截面，在非元胞区域增加第一导电类型顶层结构，并与...
周锌吴中华王钊陈浪涛乔明张波
一种功率半导体器件及其制造方法
本发明提出一种具有结势垒区和短横向沟道的功率半导体器件及其制造方法，通过体区和隔离栅，在较低漏极电压时快速耗尽结势垒区，形成耗尽层，阻断栅漏之间的电容耦合，同时利用横向沟道和纵向结势垒区域，降低了栅沟道边界PN结在关态时...
周锌王睿迪李治璇王正康乔明李肇基张波
文献传递
具有瞬时剂量率辐射加固结构的横向SOI高压器件
本发明提供一种具有瞬时剂量率辐射加固结构的横向SOI高压器件，包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质源区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏区、栅氧...
周锌张凌芳李治璇王睿迪乔明张波李肇基
文献传递
功率半导体器件
本发明提出了一种功率半导体器件，包括第二导电类型衬底、第一导电类型下漂移区、第一导电类型漏极接触区、漏极金属电极、第二导电类型下体区、第一导电类型下源极区、第二导电类型下体接触区、下源电极、下栅介质层、下栅电极、埋氧化层...
周锌赵凯王睿迪乔明张波
文献传递
具有瞬时剂量率辐射加固结构的横向SOI高压器件
本发明提供一种具有瞬时剂量率辐射加固结构的横向SOI高压器件，包括第二型掺杂杂质半导体衬底、第一型掺杂杂质漂移区、第二型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质源区、第一型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质漏区、栅氧...
周锌赵凯师瑞鑫乔明张波
一种用于SOI高压集成电路的半导体器件
一种用于SOI高压集成电路的半导体器件，属于功率半导体器件领域。包括半导体衬底层、介质埋层、顶层硅；顶层硅中至少集成了高压LIGBT、NLDMOS和PLDMOS器件；介质埋层的厚度不超过5微米，顶层硅的厚度不超过20微米...
乔明周锌温恒娟何逸涛章文通向凡叶俊张波
一种降低高压互连影响的横向高压器件
本发明提供一种降低高压互连影响的横向高压器件，包括第一型掺杂杂质接触区、第二型掺杂杂质接触区、第一型掺杂杂质阱区、第二型掺杂杂质阱区、第一型掺杂杂质外延层、第一型掺杂杂质漂移区、绝缘埋层、第二型掺杂杂质衬底、源电极、栅电...
周锌师锐鑫乔明张波
文献传递
一种高压集成电路的互连结构
一种高压集成电路的互连结构，属于半导体功率器件技术领域。本发明在具有横向高压功率器件的高压集成电路中，采用多条窄线宽的金属连线连接横向高压功率器件的漏极（或阳极）和高压电路，多条窄线宽的金属连线共同分担横向高压功率器件所...
乔明张昕许琬李燕妃周锌吴文杰张波
文献传递
全选 清除 导出
共11页<12345678910>
聚类工具0