李恩竹
- 作品数：101 被引量：19H指数：3
- 供职机构：电子科技大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：化学工程电气工程一般工业技术文化科学更多>>
- 烧结助剂LBZ对CaO-La_2O_3-TiO_2微波介质陶瓷掺杂改性研究被引量：3
- 2016年
- 采用La2O3-B2O3-ZnO(LBZ)玻璃掺杂钙钛矿系CaO-La2O3-TiO2(CLT)微波介电陶瓷。运用XRD、SEM和微波介电性能测试等手段,研究了LBZ掺杂对样品烧结性能及微波介电性能的影响。结果表明,在CLT陶瓷中添加LBZ,有效促进CLT陶瓷烧结,使得CLT的烧结温度由1 350℃降低到950℃以下,同时保持较好的介电性能。当LBZ的质量分数为3%时,样品在950℃保温4h后烧结致密,并获得最佳微波性能,即介电常数εr=103.12,品质因数与频率的乘积Q×f=8 826GHz(f=3.03GHz),频率温度系数τf=87.52×10-6/℃。
- 邹蒙莹李恩竹王京张树人
- 关键词：微波陶瓷
- 一种LTCC材料及其制备方法
- 本发明公开了一种CaO-La<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>-TiO<Sub>2</Sub>体系LTCC材料及其制备方法，涉及电子材料技术领域。其原料组成为质量百分比91.74％～99.1％的CaO-L...
- 李恩竹邹蒙莹王京段舒心周晓华张树人
- 文献传递
- 一种高介高正温度系数微波介质陶瓷材料及其制备方法
- 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种高介高正温度系数微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明高介高正温度系数微波介质陶瓷材料的原料组成为Na<Sub>2</Sub>CO<Sub>3</Sub>、K<Sub>2</Su...
- 李恩竹唐柳钟朝位袁颖张树人
- 一种低介低损钙铝硼硅基微晶玻璃材料及制备方法
- 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及一种低介低损钙铝硼硅基微晶玻璃材料及其制备方法。本发明通过对钙硼硅基微晶玻璃材料的原料组分以及比例的重大幅度调整，最终以钙、铝、硼和硅为基料，辅以BaCO<Sub>3</Sub>、P<...
- 李恩竹王宇晨杨鸿程钟朝位张树人孙成礼
- 一种ZnTiNb<Sub>2</Sub>O<Sub>8</Sub>系微波介质陶瓷材料及其制备方法
- 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种ZnTiNb<Sub>2</Sub>O<Sub>8</Sub>系微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的材料，介电常数30‑46，损耗≤1.5×10<Sup>‑4</Sup>...
- 李恩竹杨鸿宇孙怀宝
- 文献传递
- 一种低介电常数低损耗的微波介质陶瓷及其制备方法
- 本发明公开了一种低介电常数低损耗的微波介质陶瓷及其制备方法，本发明的微波介质陶瓷的化学组成表达式为CaLaAl<Sub>3</Sub>O<Sub>7</Sub>，其具有低介电常数(5.8～6.3)，低损耗(7.2×10<...
- 李恩竹郑逸轩胡智超钟朝位张树人
- 一种Ca-Nd-Ti体系中温共烧陶瓷及其制备方法
- 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，涉及电子材料技术,尤其涉及一种中温烧结Ca-Nd-Ti体系微波介质陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料的原料成分为质量百分比90.15％～100％的Ca-Nd-Ti(CNT)和质量百分比0％～...
- 李恩竹牛娜张鹏唐斌孙成礼
- 一种Co-Sn-Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法
- 本发明属于电子陶瓷及其制造领域，具体涉及一种Co‑Sn‑Ta基微波介质陶瓷材料及其制备方法。本发明提供的材料晶体结构为Trirutile相，烧结温度1250‑1350℃，介电常数15‑20，损耗介于4.81×10<Sup...
- 李恩竹杨鸿宇杨鸿程陈亚伟钟朝位张树人
- 文献传递
- 一种低介低损Ba-Si-B-M基LTCC材料及其制备方法
- 本发明属于电子信息陶瓷及其制造领域，具体涉及一种低介低损Ba‑Si‑B‑M基LTCC材料及其制备方法。本发明充分利用了复杂化学键理论由于Si<Sup>4+</Sup>离子极化率低和Si‑O键的共价键性高，所以Si‑O键的...
- 李恩竹吴裴杨鸿程钟朝位张树人孙成礼
- 一种ZnO-MgO-TiO<Sub>2</Sub>系LTCC材料
- 本发明公开了一种ZnO-MgO-TiO<Sub>2</Sub>系LTCC材料及其制备方法,本发明材料由ZnO-MgO-TiO<Sub>2</Sub>系材料及占其重量百分比为0.25％～5％的锌硼硅玻璃组成，ZnO-MgO...
- 李恩竹王京邹蒙莹段舒心张树人
- 文献传递
