印志强
- 作品数：7 被引量：5H指数：1
- 供职机构：绥化学院物理与电子信息系更多>>
- 发文基金：黑龙江省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学环境科学与工程电子电信更多>>
- Co掺杂对Ba_(0.6)Sr_(0.4)TiO_3薄膜介电性能的影响
- 2006年
- 利用溶胶凝胶工艺在Pt／TiO2／SiO2／Si衬底上制备了Co掺杂量为0～10%（摩尔分数）的（Ba0.6Sr0.4）Ti1-xCoxO3薄膜。研究了薄膜的结构、表面形貌、介电性能与Co掺杂量的关系。薄膜的介电损耗随着Co含量的增加而减少，在摩尔含量10%时达到最小值0．0128。FOM值在摩尔含量为2．59，6达到最大值20，它的介电常数、介电损耗和调谐量分别为639．42、0．0218、43．6%。
- 印志强孙小华陈章红李美亚赵兴中
- 关键词：溶胶-凝胶介电特性
- 溶胶-凝胶法制备锆钛酸钡薄膜的研究
- 2009年
- 采用溶胶-凝胶法(sol-gel)法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了BaZr0.25Ti0.75O3,(简称BZT)薄膜。对其先体溶液进行了差热与热失重曲线(TG-DTA)分析,并以此来确定了薄膜的热处理工艺。X射线衍射分析表明,650℃时已经基本形成了钙钛矿结构,结合原子力显微图确定薄膜的热处理温度为750℃。
- 印志强
- 关键词：溶胶-凝胶烧结温度
- 非晶态电子声子及相互作用
- 2006年
- 利用非晶态物质的实验数据,通过理论分析,对非晶态电子模型和声子谱进行了分析和研究,得出了非晶态近自由电子模型与自由电子模型有比较高的近似程度,在处理非晶态金属及合金等材料时可以采用自由电子模型;而非晶态声子在低能态密度增加,声子谱低频端软化;由于动量不守恒,电子声子在更大相空间内相互作用,从而导致了2αF(ω)低频端的上升。
- 齐吉泰于长兴印志强王春红
- 关键词：非晶态声子相互作用
- 非晶态固体相分离和结晶的关系
- 2006年
- 离子场强和混溶温度是影响非晶态固体相分离和结晶的主要因素,相分离为玻璃的结晶成核提供一种驱动力;相分离产生的界面为晶相的成核提供了有效的成核位;相分离导致两液相中的一相具有比母相明显大的原子迁移率来促使系统均匀成核,相分离和结晶之间也存在着一些不确定的因素。
- 齐吉泰于长兴印志强王春红
- 关键词：非晶态成核
- 非晶态半导体载流子的漂移迁移率
- 2005年
- 齐吉泰于长兴印志强王春红
- 关键词：迁移漂移体载温度变化能级
- Zn掺杂对BST薄膜介电调谐性能的影响被引量：4
- 2006年
- 用sol-gel法在Pt/SiO2/Si基片上制备了未掺杂和掺杂Zn的钛酸锶钡(BST)薄膜。用XRD对BST薄膜进行了物相分析,研究了Zn掺杂对薄膜的表面形貌和介电调谐性能的影响。结果表明:室温下,随着Zn加入量的增加,BST薄膜的介电常数减小,介质损耗降低,介电调谐量增加。x(Zn)为0.025的BST薄膜具有最大的优越因子(FOM),其值为29.28。
- 陈章红印志强赵兴中
- 关键词：无机非金属材料BST薄膜退火介电性能
- Sol-gel法制备BZT铁电薄膜及其电性能的研究被引量：1
- 2009年
- Sol-gel法制备BZT铁电薄膜,用X射线衍射仪(BSX3200)和扫描电子显微镜研究了BZT的结构和表面形貌,用差热-热失重(TG-DTA)分析谱分析BZT粉体的退火工艺。测定了薄膜的电性能:薄膜不加偏压下的介电常数大约为620左右,介电损耗和调谐量分别为0.0335和48.63%。
- 印志强
- 关键词：损耗因子
