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胡宝山

作品数:1 被引量:4H指数:1
供职机构:重庆大学更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇氧化亚铜
  • 1篇溅射
  • 1篇溅射制备
  • 1篇光催化
  • 1篇光催化活性
  • 1篇CU2O
  • 1篇磁控
  • 1篇磁控溅射
  • 1篇磁控溅射制备
  • 1篇催化
  • 1篇催化活性

机构

  • 1篇重庆大学

作者

  • 1篇丁炜
  • 1篇刘灿
  • 1篇魏子栋
  • 1篇张骞
  • 1篇齐学强
  • 1篇陈四国
  • 1篇胡宝山

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2012
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
磁控溅射制备Cu2O和Cu2O/TiO2复合膜及其光催化活性被引量:4
2012年
采用直流反应磁控溅射的方法在普通玻璃上沉积得到Cu2O、TiO2和Cu2O/TiO2复合薄膜.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线能谱仪(EDS)对薄膜的晶体结构、表面形态和薄膜元素组成进行了分析.XRD结果表明,当反应溅射时间为5 min时,Cu2O薄膜由单一的(111)晶面组成;反应时间的延长促进了Cu2O(110)和(220)晶面的生长.通过计算得出Cu2O(111)更有利于对O2的吸附.进一步使用氙灯作为光源,用薄膜对亚甲基蓝(MB)的降解率来表征光催化活性.结果表明,Cu2O/TiO2复合薄膜的光催化效果随着Cu2O含量的增加升高而后降低,当Cu2O含量为2.6mol%时,光催化活性最高.光催化效率的提高主要归因于Cu2O的加入引起光生电子-空穴的分离,而过量的Cu2O会延长光生电子迁移到Cu2O/TiO2界面和空穴迁移至表面所需要的时间,使电子和空穴复合的几率增大,从而降低了量子效率.
刘灿魏子栋张骞胡宝山齐学强陈四国丁炜
关键词:磁控溅射氧化亚铜光催化
共1页<1>
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