蔡莉
- 作品数：18 被引量：31H指数：3
- 供职机构：中国原子能科学研究院核物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信核科学技术自动化与计算机技术更多>>
- 加速器单粒子效应样品温度测控系统研制及实验应用被引量：3
- 2015年
- 为满足国内半导体器件单粒子效应（SEE）截面与温度的关系研究需求,本文基于北京HI-13串列加速器SEE辐照实验终端研制了样品温度测控系统,实现了90~450K范围内实验样品温度的测量和控制,系统控制精度好于±1K。为验证系统可靠性,使用该系统研究了SRAM单粒子翻转（SEU）截面随温度的变化关系,在215~353 K范围内测量了SRAM翻转截面随温度的变化曲线。结果表明,SRAM SEU截面随温度的升高而增加,与理论预期结果一致。
- 蔡莉刘建成范辉郭刚史淑廷惠宁王惠王贵良沈东军何安林
- 关键词：重离子单粒子效应单粒子翻转
- 65nm三阱CMOS静态随机存储器多位翻转实验研究
- 2017年
- 利用4种不同线性能量转换值的重离子对一款65nm三阱CMOS静态随机存储器(SRAM)进行重离子垂直辐照实验,将多位翻转图形、位置和事件数与器件结构布局结合对器件单粒子翻转截面、单粒子事件截面及多位翻转机理进行深入分析。结果表明,单粒子事件截面大于单个存储单元内敏感结点面积,单粒子翻转截面远大于单个存储单元面积。多位翻转事件数和规模的显著增长导致单粒子翻转截面远大于单粒子事件截面,多位翻转成为SRAM单粒子翻转的主要来源。结合器件垂直阱隔离布局及横向寄生双极晶体管位置,分析得到多位翻转主要由PMOS和NMOS晶体管的双极效应引起,且NMOS晶体管的双极效应是器件发生多位翻转的主要原因。
- 李丽丽郭刚蔡莉池雅庆刘建成史淑廷惠宁韩金华
- 关键词：静态随机存储器重离子
- 半导体器件内离子有效LET值测量方法研究
- 2018年
- 提出了一种基于电荷收集测试技术的离子有效LET值测量方法.首先对半导体器件内收集电荷量与入射离子有效LET值之间的关系进行了分析,根据二者之间的关系提出通过测量电荷收集量从而测量离子有效LET值的方法;然后建立了半导体器件电荷收集测试系统,利用PN结和SRAM对测量方法进行了验证;最后成功利用该方法解释了以往单粒子效应实验中出现的数据异常.
- 史淑廷郭刚刘建成蔡莉陈泉沈东军惠宁张艳文覃英参韩金华陈启明张付强殷倩肖舒颜
- 关键词：单粒子效应电荷收集SRAM
- 14MeV中子引发SRAM器件单粒子效应实验研究被引量：10
- 2015年
- 在中国原子能科学研究院的高压倍加器装置上开展了SRAM器件的14 MeV中子单粒子效应实验研究。介绍了中子的产生、中子注量率的测量和调节以及中子单粒子效应的测试等的实验方法,获得了HM628512BLP型和R1LV1616HSA型SRAM器件的14 MeV中子单粒子效应截面。前者与文献的单粒子效应截面在误差范围内一致,验证了实验方法的科学性和可行性。后者与由效应机制出发获得的理论分析结果在量级上一致,对实验结果给出了定性的解释。
- 范辉郭刚沈东军刘建成陈红涛赵芳陈泉何安林史淑廷惠宁蔡莉王贵良
- 关键词：高压倍加器SRAM单粒子效应截面
- 一种基于V58300平台的集成电路功能测试系统设计被引量：5
- 2021年
- 基于中科院微电子所自主研发的V58300硬件平台,设计实现了一种集成电路功能测试系统。该系统包含上位机与下位机两部分,通过在上位机实时更改测试系统相关I/O的定义和输入的测试向量文件,即可自动完成对各种运行频率在25 MHz及以下,I/O数量在48位及以下双列直插(DIP)封装集成电路的功能测试,实现了测试系统的通用化和低成本化。最后通过实验证明本测试系统可以有效地对相关芯片进行功能测试。
- 田强杨婉婉李力南郭刚蔡莉蔡莉罗家俊
- 关键词：现场可编程门阵列集成电路测试测试向量
- 温度对TFT SRAM单粒子翻转及其空间错误率预估的影响被引量：2
- 2018年
- 本文研究了215~353K温度范围内商用4M0.15μm薄膜晶体管结构SRAM单粒子翻转(SEU)截面随温度的变化。实验结果显示,在截面曲线饱和区,SEU截面基本不随温度变化;在截面曲线上升区,SEU截面随温度的升高而增加。使用Space Radiation 7.0软件研究了温度对其空间错误率预估的影响,模拟结果显示,SEU截面随温度的变化改变了SRAM SEU截面-LET值曲线形状,导致其LET阈值漂移,从而影响空间错误率预估结果。
- 蔡莉刘建成覃英参李丽丽郭刚史淑廷吴振宇池雅庆惠宁范辉沈东军何安林
- 关键词：重离子单粒子效应单粒子翻转温度效应静态随机存储器
- 大容量SRAM单粒子效应测试系统的设计和验证
- 和大气环境中的高能粒子可能致使航天器和近地空间飞行器的半导体器件发生单粒子效应,威胁其可靠性和寿命.静态随机存储器(SRAM)是航天器和近地空间飞行器电子学系统的重要组成部分,对SRAM单粒子效应的研究是充分认识单粒子效...
- 范辉刘建成郭刚沈东军史淑廷蔡莉何安林
- 关键词：航天器电子系统静态随机存储器单粒子效应虚拟仪器技术
- 一种重离子微束定位方法及用于该方法的芯片
- 本发明属于重离子微束辐照技术领域，具体涉及一种重离子微束定位方法及用于该方法的芯片。包括在芯片内设定一个具有至少一对竖直边缘、水平边缘的定位测试电路，定位测试电路的边缘内部为敏感区域，重离子微束入射到敏感区域都能够产生单...
- 柳卫平欧阳晓平史淑廷郭刚陈泉惠宁蔡莉沈东军张艳文刘建成韩金华覃英参郭红霞李丽丽
- 文献传递
- 高电荷态重离子束流产生技术的研究被引量：3
- 2014年
- 为了提高北京HI-13串列加速器束流的硅中射程和LET值,本文开展了高电荷态束流引出技术及pA级弱束流诊断技术研究。采用电刚度和磁刚度模拟技术,配合pA级弱束流束斑观测和束流强度监测技术,获得能量360MeV、峰总比80%的197 Au离子束流,其在Si中的表面LET为86.1MeV·cm2·mg-1、射程为30.1μm,满足单粒子效应(SEE)实验的要求,拓展了北京HI-13串列加速器上单粒子效应实验所用离子的能量和LET值范围。
- 高丽娟史淑廷郭刚刘建成陈泉沈东军惠宁王贵良孔福全范辉蔡莉王惠
- 关键词：高电荷态单粒子效应
- 离子径迹结构对SRAM单粒子翻转截面的影响被引量：2
- 2014年
- 本文基于北京HI-13串列加速器的单粒子效应测试终端对0.15μm工艺的SRAM进行了单粒子效应测试,再次验证了在截面曲线接近饱和区部分,高能离子翻转截面低于低能离子翻转截面的现象。采用Geant4对其进行模拟研究,结果表明,相同LET条件下高能离子可在较远处沉积能量,更易使同一存储单元内相邻的节点共享电荷发生单粒子翻转恢复而减小其单粒子翻转截面,而低能离子进行单粒子效应测试的结果相对保守。
- 高丽娟郭刚蔡莉何安林
- 关键词：单粒子翻转离子径迹电荷收集扩散电荷共享
