雷青松
- 作品数：16 被引量：43H指数：4
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信动力工程及工程热物理文化科学更多>>
- P/I界面处理对a-Si:H柔性太阳能电池性能的影响被引量：3
- 2008年
- 采用等离子体辅助化学汽相沉积(PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜,对p/i界面进行处理。在此基础上,制备p型微晶硅(μc-Si∶H)薄膜与柔性太阳能电池。对p型硅薄膜及太阳能电池的性能进行研究。结果表明:对p/i界面采用H等离子体处理,再引入一定厚度的成核层,可以成功得到高电导率的p型微晶硅窗口层,提高柔性太阳能电池的光伏特性。其中的成核层,不仅促进微晶相p层的生长,还可以起到界面缓冲层的作用。
- 雷青松徐火希王晓晶季峰徐静平
- 关键词：柔性太阳能电池
- 沉积压力对磁控溅射纳米硅薄膜结构和性能影响被引量：5
- 2009年
- 采用射频（RF）磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了氢化纳米硅薄膜,研究了沉积压力（4-9 Pa）对薄膜结构和性能的影响。利用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计、傅立叶红外吸收光谱仪（FT-IR）及四探针电阻测试仪等对薄膜结构和性能进行了表征。结果表明：随着沉积压力的提高,薄膜结晶程度逐渐变差,晶粒尺寸降低;薄膜光学带隙在2.04-2.3 eV之间,且随着沉积压力的提高而增加;薄膜具有SiH、SiO、SiH2和SiH3振动吸收峰,随着沉积压力的增加,SiH、SiH2振动吸收峰向高波数移动,薄膜方块电阻在132-96Ω/□,且随着沉积压力的升高而降低。
- 于军王晓晶雷青松彭刚徐玮
- 关键词：磁控溅射光学带隙
- 一种用于温补晶振的EEPROM修调电路设计被引量：4
- 2011年
- 设计了一种用于温度补偿晶体振荡器(TCXO)的数字修调电可擦除只读存储器(EEPROM)电路.该电路具有正常工作模式和RAM WRITE、EEPROM WRITE、EEPROM READ三种测试模式,用于TCXO中模拟补偿电压的修调.在SMIC 0.35μm工艺下,采用HSPICE工具对设计的电路进行了仿真与验证,结果表明该电路具有可靠性高和功耗低的优点.
- 沈红莉徐静平钟德刚雷青松
- 关键词：TCXO
- CVD金刚石膜场致发射的机理被引量：2
- 2003年
- 金刚石膜场致发射过程是电子从导电基底开始,经基底/金刚石界面、金刚石薄膜体内传输到表面,然后穿过表面势垒进入真空、经真空电场加速到达阳极的一个复杂过程。对该过程进行了较为详细的分析和介绍。
- 雷青松
- 关键词：CVD金刚石膜场致发射电子亲合势势垒
- 退火温度对ZnO：Al透明导电薄膜结构和性能的影响被引量：1
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶法（sol—gel）在普通载玻片上制备了ZnO：Al薄膜，在200～600℃下退火。利用XRD、紫外-可见光-近红外分光光度计和电阻测试仪等分析方法研究了不同退火温度对薄膜结构和光电性能的影响。结果表明，退火温度在300℃以上，薄膜开始结晶，400℃以上，薄膜出现明显结晶，且沿（002）方向择优取向，随着退火温度升高，（002）峰的强度逐渐增强，晶粒尺寸逐渐增加；薄膜在可见光范围内的透过率均〉85％以上，退火温度高的薄膜在可见光范围内的透过率明显提高，光学带隙在3．32～3．54eV，且随着温度的升高而降低；薄膜的电阻率随退火温度的增高而有所降低，但是仍较高，在10^3Ω·cm量级。
- 于军王晓晶徐玮雷青松
- 关键词：退火温度溶胶-凝胶法结构性能透明导电薄膜ZNO:AL
- VHF-PECVD法制备氢化硅薄膜及单结电池
- 2005年
- 利用VHF-PECVD分解硅烷和氢气的混合气体来制备本征微晶硅薄膜。运用拉曼散射和X射线衍射研究了不同硅烷浓度对薄膜的影响。随着硅烷浓度的增加,沉积速率和光敏性增加而晶化率下降。将优化的本征材料应用到pin电池中,得到本征层厚度约为1μm的微晶电池,效率达5.87%。
- 吴志猛雷青松赵颖耿新华奚建平
- 关键词：微晶硅太阳电池
- 磁控溅射中工艺参数对ZnO:Al薄膜性能的影响被引量：2
- 2010年
- 利用射频磁控溅射法采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO∶Al)薄膜,研究了溅射功率及溅射气压对薄膜晶体结构、电学和光学性能的影响。利用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,利用分光光度计和电阻测试仪分别测试了薄膜的光电学性能。结果表明:溅射功率为120W、衬底温度为300℃、工作气压为0.5Pa时制得的薄膜具有良好的光电学性能(可见光平均透过率为88.21%、电阻率为8.28×10-4Ω.cm)。
- 徐玮于军王晓晶袁俊明雷青松
- 关键词：磁控溅射陶瓷靶材透过率
- 用于8051微控制器的片上调试系统的硬件设计被引量：2
- 2011年
- 为工业用8051微控制器设计了一个片上调试系统,将调试功能集成到单片机芯片内部。该系统基于专用集成电路的设计流程设计,不仅具有控制8051单片机挂起、正常运行、单步运行和指令跳转的能力,而且能够读写片内寄存器、内外部数据,程序存储器、特殊功能寄存器的值,并能在其中设置硬件断点。该调试系统使用比工业上的JTAG标准接口占用空间更少的三线接口作为其和计算机的连接通道。系统在Xilinx的xc3s400 FPGA上完成功能验证,利用SMIC0.18μm工艺库完成版图设计。结果表明,系统有效解决基于传统软件调试和仿真器调试方式的弊端,并能省去用户购买商业仿真器的调试花费,减少调试成本,提高调试效率。提出的设计方法同样适用于其他微控制器片上调试系统的设计。
- 肖哲靖徐静平雷青松钟德刚
- 关键词：微控制器仿真器寄存器
- 衬底温度对MOCVD-ZnO薄膜特性的影响被引量：4
- 2012年
- 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,制备本征ZnO薄膜,并研究薄膜的结构、形貌及光电等性能。结果表明:衬底温度对ZnO薄膜的微观结构、电学、光学及表面形貌等有显著影响。在衬底温度为180℃时获得电阻率为2.17×10-2Ω.cm。平均透过率为85%的低电阻、高透过率、结晶质量高、表面呈绒面结构的本征ZnO薄膜。对本征ZnO薄膜进一步掺杂和结构优化有望用于硅薄膜太阳能电池的前电极。
- 孙小虎雷青松曾祥斌薛俊明鞠洪超陈阳洋
- 关键词：MOCVD衬底温度太阳电池
- 用于薄膜太阳能电池的非晶硅锗制备与性能研究被引量：5
- 2012年
- 利用射频等离子体增强化学气相沉积工艺(RF-PECVD)制备非晶硅锗薄膜,研究氢稀释率和衬底温度对薄膜光电性能的影响。通过二者的优化制备出光学带隙1.5 eV、光敏性6×104的高质量非晶硅锗薄膜。在此基础上制备出效率为6.65%的非晶硅锗(a-SiGe∶H)单结太阳能电池。
- 程碧胜雷青松徐静平薛俊明
- 关键词：衬底温度太阳能电池
