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徐光明

作品数：7 被引量：1H指数：1
供职机构：南京邮电大学更多>>
发文基金：电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 5篇击穿电压
  • 3篇表面电场
  • 2篇导通
  • 2篇导通电阻
  • 2篇电场
  • 2篇电场分布
  • 2篇电阻
  • 2篇漂移区
  • 2篇反向击穿
  • 2篇反向击穿电压
  • 2篇半导体
  • 2篇LDMOS
  • 1篇导电类型
  • 1篇低K介质
  • 1篇电荷
  • 1篇掩膜
  • 1篇掩膜板
  • 1篇体硅
  • 1篇漂移
  • 1篇器件尺寸

机构

  • 7篇南京邮电大学

作者

  • 7篇徐光明
  • 6篇郭宇锋
  • 5篇黄示
  • 4篇花婷婷
  • 3篇夏晓娟
  • 3篇张长春
  • 1篇徐琴
  • 1篇徐跃
  • 1篇吉新春
  • 1篇姚佳飞

传媒

  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种高压LDMOS器件
本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，...
郭宇锋徐光明花婷婷黄示张长春夏晓娟
文献传递
漂移区部分氧化柱体硅LDMOS
提出了一种漂移区部分氧化柱体硅LDMOS.此结构将N型漂移区用N型硅柱和氧化柱相互交替来代替,利用氧化柱对漂移区电场的调制作用改善电场分布,从而提高器件击穿电压.三维器件仿真软件Davinci仿真结果表明在漂移区厚度为0...
黄示郭宇锋姚佳飞徐光明
关键词：击穿电压电场分布漂移区
P+P-top层SOID-RESURFLDMOS高压器件新结构
了PP+P-top层SOID-RESURFLDMOS高压器件新结构.通过在漂移区中部引入一重掺杂的P+P区,其在PP+P结处产生一个附加的电场峰值,从而优化了漂移区的表面电场分布.并通过二维器件仿真软件MEDICI仿真了...
徐光明郭宇锋花婷婷黄示
关键词：击穿电压导通电阻电场分布
新型SOI D-RESURF LDMOS高压器件研究
绝缘体上的硅（Silicon On Insulator，简称SOI）高压集成电路（High Voltage IntegratedCircuit，简称HVIC）凭借其隔离性能优良、集成度高、响应速度快和抗辐照等优点得到了广...
徐光明
关键词：绝缘体上硅降低表面电场比导通电阻
文献传递
一种高压LDMOS器件
本发明提出一种高压LDMOS器件，所述器件通过在每个降场层靠近源区引入一个与降场层相连或重合的相同导电类型半导体重掺杂区；这样就能够在漂移区中部产生一个高的电场峰值，降低了主结处高的电场峰值，优化了漂移区的表面电场分布，...
郭宇锋徐光明花婷婷黄示张长春夏晓娟
文献传递
一种横向功率器件结构及其制备方法
本发明提出了一种横向功率器件结构及其制备方法，所述结构不仅可以有效缩小器件尺寸，提高器件的集成度，同时也可优化漂移区浓度，提高击穿电压。而且由于器件尺寸的缩小以及漂移区浓度优化值的提高，其导通电阻也能显著减小，从而整体提...
郭宇锋徐琴黄示徐光明张长春夏晓娟
文献传递
SOI LDMOS器件纵向耐压技术的研究进展被引量：1
2012年
SOI LDMOS是SOI高压集成电路的核心器件,而纵向击穿电压是制约其性能的关键。本文首先指出了常规SOI LDMOS纵向耐压低的原因;然后介绍了SOI高压器件纵向耐压理论,分析了该理论中三种改善SOI器件纵向耐压技术(超薄SOI技术、界面电荷技术、低k介质层技术)的工作原理;而后基于这三种技术,对近年来国内外在SOI纵向耐压方面所做的工作进行了分类和总结,分析了各自的优缺点;最后对未来技术的发展进行了展望。
徐光明郭宇锋花婷婷徐跃吉新春
关键词：LDMOS界面电荷低K介质
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