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超深亚微米MOSFET器件中热载流子效应的研究: 随着MOS器件尺寸不断缩小，器件内沟道电场和电流密度激增，高电场使得热载流子(Hot Carrier)的形成几率大大增加。这些热载流子具有相当高的能量，可以克服Si-SiO2界面势垒进入栅氧化层，诱生大量的界面态，导致器...; 刘辉兰; 关键词：场效应晶体管热载流子温度特性; 文献传递

高k纳米MOSFET的关态泄漏电流的研究被引量：1: 2007年; 对纳米MOSFET关断态的栅电流、漏电流和衬底电流进行了模拟,指出边缘直接隧穿电流(IEDT)远远大于传统的栅诱导泄漏电流(IGIDL)、亚阈区泄漏电流(ISUB)及带间隧穿电流(IBTBT)。对50 nm和90 nm MOSFET器件的Id-Vg特性进行了比较,发现在高Vdd下,关态泄漏电流(Ioff)随IEDT的增加而不断增大,并且器件尺寸越小,Ioff越大。高k栅介质能够减小IEDT,进而减小了Ioff,其中HfSiON、HfLaO可以使边缘隧穿电流减小2～5个数量级且边缘诱导的势垒降低(FIBL)效应很小。但当栅介质的k>25以后,由于FIBL效应,关态泄漏电流反而增大。; 杨建红李桂芳刘辉兰; 关键词：高K栅介质

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刘辉兰