杜江峰
- 作品数：18 被引量：6H指数：1
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- 相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术化学工程更多>>
- SiO_2薄膜致密性的表征被引量：6
- 2011年
- 论述了表征SiO2薄膜致密性的三种方法:红外光谱法、折射率法和腐蚀速率法,分析了它们各自的特点。制备了不同衬底和不同工艺的三个热氧化SiO2薄膜样品,利用红外光谱法和折射率法对样品进行了对比测试。结果表明,采用红外光谱法表征SiO2薄膜的致密性时,主特征吸收峰频率不仅与薄膜致密性相关,还与样品的厚度和衬底等因素有关;而折射率法受这些因素的影响较小,是表征SiO2薄膜致密性较为适用的方法。
- 张富荣丽梅袁之光郭宇恒周泳杜江峰
- 关键词：SIO2薄膜致密性红外光谱法
- 一种基于GaN HEMT直流特性的SPICE宏模型
- 本文提出了一种基于GaN HEMT直流特性的宏模型结构,考虑了GaN HEMT的栅极泄漏电流,并采用行为级模型来处理非线性电阻,详细介绍了宏模型建立的整个流程,并将此模型的仿真结果与实验数据进行比较,验证了模型的精度。
- 陈昭祥杜江峰
- 关键词：宏模型非线性电阻行为级模型
- 文献传递
- 界面氧化层与GaN肖特基二极管电特性相关性研究
- 本文对不同浓度的n-GaN样品表面氧化层去除前后的肖特基接触的电学特性做了对比研究,通过对I-V,C-V特性的测量分析,量化了界面氧化层的存在对肖特基接触的电学性质的影响。实验发现氧化层的去除使肖特基接触的势垒高度降低0...
- 于志伟周伟罗谦杜江峰靳翀夏建新
- 关键词：势垒高度二极管肖特基接触电学特性
- 文献传递
- 用于制备应变沟道CMOS的等效应变记忆方法
- 本发明制备应变沟道CMOS的等效应变记忆方法是涉及集成电路的制作，特别是通过等效应变记忆方法引入的应变技术，分别为互补金属氧化物半导体场效应晶体管CMOS中的NFET与PFET器件提供张应变与压应变。该发明提供的记忆方法...
- 于奇宁宁王向展杜江峰杨洪东李竞春
- 文献传递
- 一种腐蚀液的用途和腐蚀方法
- 本发明公开了一种腐蚀液的用途，应用于腐蚀钇钆石榴石铁氧体样品，所述腐蚀液为质量分数为60％～90％的磷酸溶液。相关腐蚀方法，包括以下步骤：(1)对钇钆石榴石铁氧体样品进行过粗磨、细磨、机械抛光处理；(2)将处理过的样品使...
- 荣丽梅郑晓明谢涛杜龙欢于庆伟杜江峰
- 文献传递
- 基于跨域数据增强的长尾兴趣点推荐
- 杜江峰
- CCD-MOS高精度界面态的测试研究
- 高精度界面态测试是CCD-MOS可靠性研究的关键问题。分析了电导法测试的误差,讨论了采用Agilent 4294A电导法测试能达到的精度,并建立模型分析研究了寄生电阻、寄生电容和误差的关系,也对CCD-MOS样品进行了测...
- 袁之光荣丽梅张富杜江峰郭跃伟郭宇恒
- 关键词：电导法界面态
- 文献传递
- 一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管
- 本发明公开了一种具有背电极结构的氮化镓基异质结场效应晶体管， 从下至上依次主要由衬底，氮化铝成核层，P型铝铟镓氮缓冲层，氮化镓沟道层，氮化铝插入层及铝铟镓氮势垒层组成，在势垒层上形成有源极、漏极和栅极，源极及漏极与势垒层...
- 杜江峰赵子奇尹江龙张新川马坤华罗谦于奇
- 表面态对GaN HEMT电流崩塌效应影响的研究
- 2006年
- 针对GaN HEMT电流崩塌物理效应,测试了各种条件下器件I-V特性。发现在栅脉冲条件下器件最大漏输出电流减小了23.8%,且随着栅脉冲宽度减小或周期增大而下降,并且获得了其输出电流与脉冲宽度W和周期T的定量关系;在漏脉冲测试条件下,器件输出电流有所增大,并随着脉冲宽度减小而缓慢增大。实验结果,可用器件栅漏之间表面态充放电的原理来解释所观察到的测试现象和电流崩塌物理。
- 赵子奇杜江峰罗谦靳翀杨谟华
- 关键词：GAN高电子迁移率晶体管电流崩塌脉冲测试表面态
- CCD-MOS高精度界面态的测试研究
- 高精度界面态测试是CCD-MOS可靠性研究的关键问题。分析了电导法测试的误差,讨论了采用Agilent 4294A电导法测试能达到的精度,并建立模型分析研究了寄生电阻、寄生电容和误差的关系,也对CCD-MOS样品进行了测...
- 袁之光荣丽梅张富杜江峰郭跃伟郭宇恒
- 关键词：电导法界面态可靠性分析寄生电容
- 文献传递
