张正荣
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
- 供职机构：上海交通大学微电子学院更多>>
- 发文基金：上海市浦江人才计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种多晶硅掩膜层湿法去除工艺的改进研究
- 在集成电路制造工艺中,附着在硅片表面的杂质颗粒一直是影响晶圆良率的重大因素,其中在现有的栅极多晶硅蚀刻后的氮氧化硅(SiON)掩膜层湿法去除工艺中,所使用的热磷酸(H3PO4)湿法刻蚀方法尤其容易产生杂质颗粒,残留的杂质...
- 张正荣
- 关键词：半导体制造湿法刻蚀湿法清洗氮氧化硅
- 文献传递
- 一种多晶硅掩膜层湿法去除的改进研究被引量：1
- 2007年
- 在集成电路制造工艺中,附着在Si片表面的杂质颗粒一直是影响晶圆良率的重大因素,其中在栅极多晶硅刻蚀后的氮氧化硅(SiON)掩膜层湿法去除工艺中,所使用的热磷酸(H3PO4)湿法刻蚀尤其容易产生杂质颗粒。详细分析了热H3PO4湿法刻蚀中杂质颗粒的形成机理,并且提出三种不同的解决途径,然后通过具体实验数据比较得出解决热H3PO4湿法刻蚀后杂质颗粒问题的最佳方案,为集成电路制造企业提供了理论基础和实践依据。
- 张正荣詹扬汪辉
- 关键词：半导体制造氮氧化硅湿法刻蚀
- 半导体化学溶液的浓度控制被引量：3
- 2008年
- 在半导体制造工艺中,湿法清洗和刻蚀技术是其中重要的组成部分。文章着重介绍了半导体湿法清洗和刻蚀技术中化学品的化学配比和相关用途,并且重点讲述了化学品浓度控制的重要性及其常用的控制方式。
- 张正荣汪辉
- 关键词：半导体制造
