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文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇渗透率
  • 2篇溅射
  • 2篇MO薄膜
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇底水
  • 1篇电致发光
  • 1篇电致发光器件
  • 1篇电阻率
  • 1篇性能研究
  • 1篇有机电致发光
  • 1篇有机电致发光...
  • 1篇柔性衬底
  • 1篇柔性有机电致...
  • 1篇气压
  • 1篇阻隔层
  • 1篇阻透性
  • 1篇阻透性能
  • 1篇膜厚
  • 1篇晶粒

机构

  • 5篇大连交通大学

作者

  • 5篇张树旺
  • 4篇柴卫平
  • 3篇朱继国
  • 3篇王华林
  • 2篇张粲
  • 2篇丁万昱
  • 1篇刘世民
  • 1篇汪亚辉
  • 1篇张俊计

传媒

  • 1篇液晶与显示
  • 1篇微细加工技术
  • 1篇光学仪器
  • 1篇2008中国...

年份

  • 5篇2008
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
柔性OLED衬底水、氧阻隔层及其渗透率测试方法
柔性OLED进入商业化生产的最大障碍在于器件的寿命未达到商用要求,由于器件的有机功能层和金属阴极对水、氧十分敏感,所以柔ROLED对衬底的阻透性能提出了更高的要求.本文介绍了柔性OLED器件衬底的水、氧阻隔层和针对其渗透...
张树旺王华林柴卫平
文献传递
Ar气压强对直流脉冲磁控溅射制备Mo薄膜性能的影响被引量:12
2008年
利用直流脉冲磁控溅射方法在玻璃衬底上制备太阳电池背接触Mo薄膜。通过台阶仪、四探针电阻仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等研究了Ar气压强对薄膜结构及光电性能的影响,结果表明,在低的Ar气压强下制备的Mo薄膜晶粒尺寸较大,薄膜结晶质量好,薄膜具有优良的光电性能,Ar气压强的增加将导致薄膜的晶粒尺寸减小,薄膜结晶质量差,结构疏松,从而降低薄膜的光电性能。Ar气压强为0.4 Pa时制备薄膜的晶粒尺寸为21.02 nm,电阻率最低,为14μΩ.cm,波长190 nm^850 nm范围内的平均反射率可达到66.94%。
朱继国丁万昱王华林张树旺张粲张俊计柴卫平
关键词:MO薄膜晶粒尺寸光电性能
薄膜厚度对直流脉冲磁控溅射Mo薄膜光电性能的影响被引量:9
2008年
采用直流脉冲磁控溅射方法在SLG衬底上沉积CIGS太阳电池背接触Mo薄膜,研究了薄膜的光学和电学性能随厚度的变化关系。结果表明,随着薄膜厚度的增加,薄膜的电阻率先降低后增加,在厚度284.3nm处电阻率最低,为7.3×10^-4Ω·cm。不同厚度的Mo薄膜在各个波长处(200~840nm)反射率都随波长的增加而增大。随着薄膜厚度的增加,平均反射率总的呈下降趋势,在薄膜厚度284.3nm时出现一反射率高峰,其在200-840nm波长范围内的平均反射率达43.33%。
朱继国柴卫平王华林张树旺刘世民张粲汪亚辉
关键词:MO薄膜电阻率反射率
直流脉冲磁控溅射法制备SiN<,x>/SiN<,x>O<,y>薄膜及其性能研究
柔性OLED被认为是最具发展前景的下一代显示技术之一,但由于H2O、O2等有害气体的侵蚀,使柔性OLED器件很难达到商用显示器件1×104h的最低使用寿命标准,在柔性衬底上制备保护层是阻隔H2O、O2等有害气体对器件的侵...
张树旺
关键词:磁控溅射
文献传递
柔性有机电致发光器件衬底阻透性能的测试方法被引量:5
2008年
FOLED被认为是最具发展前景的下一代显示技术之一,但由于H2O、O2等有害气体的侵蚀,FOLED器件很难达到商用显示器件的最低使用寿命标准(1×104h)。虽然在柔性衬底上制备保护层是延长器件使用寿命的有效方法,但目前为止,还没有商用测试仪器可以评价保护层对H2O、O2等有害气体的阻隔性能。介绍了几种测试H2O、O2渗透率的方法,及它们在评价FOLED衬底保护层阻隔性能方面的应用。
张树旺王华林苗壮丁万昱朱继国柴卫平
关键词:渗透率柔性衬底
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