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离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法: 本发明公开了一种离子注入型碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面的光电p-n结修饰方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将离子注入完的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元芯片放置在真空腔体内进行氢等离子体浴处理的光...; 叶振华黄建祝海彬尹文婷林春胡晓宁丁瑞军何力

红外焦平面深微台面列阵加工的光刻胶涂敷方法: 本发明公开了一种红外焦平面深微台面列阵加工的光刻胶涂敷方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用先于红外焦平面探测芯片表面旋转涂敷一层AZ系列光刻胶的稀释剂以填充微台面列阵隔离深沟槽的底部大部分体积的物理空间，再在微...; 叶振华周文洪尹文婷黄建马伟平胡晓宁; 文献传递

红外焦平面列阵器件混成互连铟焊点寿命的提高方法: 本发明公开了一种红外焦平面列阵器件混成互连铟焊点寿命的提高方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在常规结构的红外焦平面探测器的四个角增加四个大铟堆桥墩，以实现常规结构红外焦平面探测器混成互连铟焊点同时作为机械连通...; 叶振华尹文婷黄建王建新朱建妹林春张勤耀胡晓宁丁瑞军何力; 文献传递

一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器: 本发明公开了一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器，它采用在前视光场方向上原位集成红外镜面窗口的浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的结构方案。浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器不仅具有微凸镜列阵型探测器能抑制串音...; 叶振华陆伟黄建邢雯刘丹冯靖文林春胡晓宁丁瑞军何力

红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法: 本发明公开了一种红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在红外焦平面列阵器件光敏感元芯片非电极区域的钝化层表面制作起内反射镜面作用的金属层，来实现红外辐射吸收厚度比红外光敏感元列阵芯...; 叶振华尹文婷胡伟达黄建马伟平林春廖清君胡晓宁丁瑞军何力; 文献传递

碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法: 本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将生长完碲化镉/硫化锌(CdTe/ZnS)复合介质钝化膜后的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元...; 叶振华黄建杨建荣尹文婷邢雯林春陈兴国胡晓宁丁瑞军何力

离子注入型碲镉汞红外焦平面的光电p-n结修饰方法: 本发明公开了一种离子注入型碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面的光电p-n结修饰方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将离子注入完的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元芯片放置在真空腔体内进行氢等离子体浴处理的光...; 叶振华黄建祝海彬尹文婷林春胡晓宁丁瑞军何力; 文献传递

HgCdTe长波光电二极管列阵的等离子体修饰被引量：1: 2012年; 报道了HgCdTe长波离子注入n+-on-p型光电二极管列阵低能氢等离子体修饰的研究成果.基于采用分子束外延(MBE)技术生长的HgCdTe/CdTe薄膜材料,通过注入窗口的光刻与选择性腐蚀、注入阻挡层的生长、形成光电二极管的B+注入、光电二极管列阵的低能氢等离子体修饰、金属化和铟柱列阵的制备等工艺,得到了氢等离子体修饰的n+-on-p型HgCdTe长波光电二极管列阵.从温度为78 K的电流与电压(I-V)和动态阻抗与电压(R-V)特性曲线中,发现经过低能氢等离子体修饰的HgCdTe红外长波光电二极管列阵动态阻抗极大值比未经过修饰处理的提高了1～2倍,并在反向偏压大于动态阻抗极大值所处的偏压时动态阻抗得到更为明显的提升.这表明低能氢等离子体修饰可以抑制HgCdTe光电二极管列阵暗电流中的带带直接隧穿电流Ibbt和缺陷辅助隧穿电流Itat,从而能提高长波红外焦平面探测器工作的动态范围和探测性能的均匀性.; 叶振华尹文婷黄建胡伟达冯婧文陈路廖亲君林春胡晓宁丁瑞军何力; 关键词：暗电流

红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法: 本发明公开了一种红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在红外焦平面列阵器件光敏感元芯片非电极区域的钝化层表面制作起内反射镜面作用的金属层，来实现红外辐射吸收厚度比红外光敏感元列阵芯...; 叶振华尹文婷胡伟达黄建马伟平林春廖清君胡晓宁丁瑞军何力

一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器: 本发明公开了一种原位集成浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器，它采用在前视光场方向上原位集成红外镜面窗口的浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器的结构方案。浸没式微凸镜列阵的红外焦平面探测器不仅具有微凸镜列阵型探测器能抑制串音...; 叶振华陆伟黄建邢雯刘丹冯靖文林春胡晓宁丁瑞军何力; 文献传递

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黄建