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斯瑞珺

作品数：9 被引量：1H指数：1
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：浙江省科技厅新苗人才计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 8篇静电放电
  • 8篇可控硅
  • 5篇电压
  • 5篇电压值
  • 5篇静电
  • 5篇ESD
  • 3篇电流
  • 3篇多晶
  • 3篇多晶硅
  • 3篇氧化层
  • 3篇有效面积
  • 3篇静电防护
  • 2篇版图
  • 1篇电路
  • 1篇二次击穿
  • 1篇MOS
  • 1篇MOS器件

机构

  • 9篇浙江大学
  • 1篇中佛罗里达大...

作者

  • 9篇董树荣
  • 9篇韩雁
  • 9篇斯瑞珺
  • 8篇崔强
  • 8篇杜宇禅
  • 8篇杜晓阳
  • 8篇洪慧
  • 8篇张吉皓
  • 8篇曾才赋
  • 8篇霍明旭
  • 8篇黄大海
  • 8篇陈茗
  • 1篇崔强
  • 1篇刘俊杰

传媒

  • 1篇传感技术学报

年份

  • 2篇2009
  • 4篇2008
  • 3篇2007
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护电路
本发明涉及一种静电放电防护电路。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想，触发点电压值不能够灵活调整。本发明在现有的可控硅SCR上设置有多晶硅层，多晶硅层与阱区之间设置SiO<Sub>2</Sub>氧化层，多晶硅层两边为P+...
韩雁崔强董树荣霍明旭黄大海杜宇禅曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
文献传递
一种增大静电电流有效流通面积的ESD防护器件
本实用新型涉及一种静电放电防护器件。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想。本实用新型的阱区上方设置有多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层。多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层的长度大于或等于N阱的P+...
曾才赋韩雁崔强董树荣霍明旭黄大海杜宇禅杜晓阳洪慧陈茗斯瑞珺张吉皓
文献传递
MOS器件二次击穿行为的电路级宏模块建模被引量：1
2008年
采用一种利用TCAD仿真提取MOS器件在静电放电现象瞬间大电流情况下的电学参数,对MOS器件二次击穿行为进行电路级宏模块建模。MOS器件是一种重要的静电放电防护器件,被广泛地应用为集成电路输入输出口的静电保护器件。用TCAD仿真工具对MOS器件的二次击穿进行宏模块建模,该模型能够正确反映MOS器件二次击穿的深刻机理,具有良好的精确性和收敛性,这对在电路级以及系统级层面上仿真静电放电防护网络的抗静电冲击能力有重要意义。
崔强韩雁董树荣刘俊杰斯瑞珺
关键词：MOS二次击穿
一种静电放电防护电路
本发明涉及一种利用多晶硅版图层次构造静电电流泄放通道的静电放电防护电路。目前多采用可控硅SCR达成保护芯片抵御静电袭击的目的，但是结构比较复杂，加工难度较大，同时该可控硅SCR触发点电压值不能够灵活地调整。本发明的静电放...
杜晓阳韩雁崔强董树荣霍明旭黄大海杜宇禅曾才赋洪慧陈茗斯瑞珺张吉皓
文献传递
一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护电路
本发明涉及一种静电放电防护电路。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想，触发点电压值不能够灵活调整。本发明在现有的可控硅SCR上设置有多晶硅层，多晶硅层与阱区之间设置SiO<Sub>2</Sub>氧化层，多晶硅层两边为P+...
韩雁崔强董树荣霍明旭黄大海杜宇禅曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
文献传递
一种增大静电电流有效流通面积的ESD防护电路
本发明涉及一种静电放电防护电路。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想。本发明的阱区上方设置有多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层。多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层的长度大于或等于N阱的P+注入区靠...
崔强韩雁董树荣霍明旭黄大海杜宇禅曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
文献传递
一种静电放电防护器件
本实用新型涉及一种利用多晶硅版图层次构造静电电流泄放通道的静电放电防护器件。目前多采用可控硅SCR达成保护芯片抵御静电袭击的目的，但是结构比较复杂，加工难度较大，同时触发点电压值不能够灵活地调整。本实用新型的静电放电防护...
韩雁崔强董树荣霍明旭杜宇禅黄大海曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
文献传递
一种利用多晶硅构建ESD泄放通道的防护器件
本实用新型涉及一种静电放电防护器件。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想，触发点电压值不能够灵活调整。本实用新型在现有的可控硅SCR上设置有SiO<Sub>2</Sub>氧化层和多晶硅层，多晶硅层两边为P+多晶硅注入区和...
崔强韩雁董树荣霍明旭杜宇禅黄大海曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
文献传递
一种增大静电电流有效流通面积的ESD防护电路
本发明涉及一种静电放电防护电路。现有的可控硅SCR防静电的效果不理想。本发明的阱区上方设置有多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层。多晶硅层和SiO<Sub>2</Sub>氧化层的长度大于或等于N阱的P+注入区靠...
崔强韩雁董树荣霍明旭黄大海杜宇禅曾才赋洪慧陈茗杜晓阳斯瑞珺张吉皓
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