王伟宾
- 作品数:4 被引量:1H指数:1
- 供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
- 相关领域:电子电信一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 一种基于高k薄膜场优化技术的高压LDMOS器件研究
- LDMOS器件具有耐压高、驱动能力强、安全工作区宽、温度特性好、易集成等优点,广泛应用于功率集成电路中。高压LDMOS器件研究的核心是通过优化漂移区结构,取得器件击穿电压和导通电阻的最优折中。高介电常数(高k)薄膜用于器...
- 王伟宾
- 关键词:LDMOS器件击穿电压导通电阻
- 文献传递
- 高耐压LDMOS用的高K薄膜湿法刻蚀研究
- 2012年
- 为了对横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件所采用的锆钛酸铅(PZT)高介电常数(高K)薄膜进行微图形化,对湿法刻蚀过程中腐蚀液、光刻、刻蚀等工艺进行了优化研究,发现由BOE+HCl+HNO3+H2O+缓冲剂组成的腐蚀液刻蚀效果较好。刻蚀结果表明,所刻蚀薄膜的厚度约为600nm,最小线条宽度约为3μm,侧蚀比减小到1.07∶1,符合功率器件制备的尺度要求,由此所制备的LDMOS器件耐压提高了近2倍。
- 王伟宾霍伟荣赵远远王姝娅束平张国俊
- 关键词:湿法刻蚀LDMOS刻蚀速率
- 漂移区覆盖高k薄膜的高压LDMOS器件优化设计被引量:1
- 2012年
- 为了获得高耐压、低导通电阻的横向双扩散MOSFET(LDMOS)器件,综合利用高介电常数(高k)薄膜技术和场板技术,设计出一种漂移区表面采用"高k薄膜+氧化层+场板"结构的功率器件,有效降低了PN结弯角高电场和场板边缘峰值电场。使用器件仿真工具MEDICI进行验证,并分析高k薄膜厚度、氧化层厚度、高k薄膜相对介电常数以及栅场板长度对器件性能的影响,最终实现了耐压达到820V、比导通电阻降至13.24Ω.mm2且性能稳定的LDMOS器件。
- 王伟宾赵远远钟志亲王姝娅戴丽萍张国俊
- 关键词:LDMOS器件场板击穿电压导通电阻
- 工艺过程对NBT/BaTiO_3复合PTC材料性能的影响
- 2011年
- 采用传统陶瓷工艺制备了Na0.5Bi0.5TiO3(NBT)/BaTiO3复合PTC材料,通过对样品性能测试及扫描电子显微镜(SEM)形貌分析研究了工艺过程对NBT/BaTiO3复合PTC材料性能的影响,研究结果表明,NBT的加入方式影响复合PTC材料的半导化,而成型压力影响试样的气孔率,进而影响材料的PTC效应和室温电阻率,最佳的工艺过程为:NBT在二次料中加入,成型压力为298 MPa,烧结温度范围为1 275~1 290℃。
- 霍伟荣于天来王伟宾曲远方
- 关键词:BATIO3基加料顺序PTC效应