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孙静

作品数:10 被引量:2H指数:1
供职机构:湘潭大学更多>>
发文基金:长江学者奖励计划国家自然科学基金湖南省自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程电子电信理学更多>>

文献类型

  • 6篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电气工程
  • 4篇一般工业技术
  • 3篇电子电信
  • 2篇理学

主题

  • 5篇铁电
  • 5篇铁电薄膜
  • 3篇存储器
  • 3篇存储器件
  • 2篇电晶体
  • 2篇压电
  • 2篇压电材料
  • 2篇压电层
  • 2篇压电晶体
  • 2篇压电系数
  • 2篇水平极化
  • 2篇铁电存储器
  • 2篇晶体
  • 2篇晶体管
  • 2篇极化
  • 2篇SUB
  • 2篇C-V特性
  • 2篇FET
  • 2篇MFI
  • 2篇场效应

机构

  • 10篇湘潭大学

作者

  • 10篇孙静
  • 6篇郑学军
  • 3篇周益春
  • 3篇张军
  • 3篇杨锋
  • 2篇刘勋
  • 2篇张勇
  • 1篇张勇
  • 1篇赵吉鹤
  • 1篇周良
  • 1篇彭书涛

传媒

  • 1篇压电与声光
  • 1篇2009全国...
  • 1篇中国力学学会...

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 5篇2009
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
铁电薄膜器件的电学性能模拟及失效行为研究
用铁电场效应晶体管/(FeFET/)作为存储单元的铁电存储器,具有结构简单、难以挥发、功耗很低、非破坏性读出、可多次反复读写、可高速大密度存取、抵抗辐射性能优异以及易兼容集成电路工艺等优点,因此,引起了人们的特别关注。本...
孙静
关键词:电学性能
文献传递
铁电薄膜场效应晶体管存储器件的失效机制及器件力学
基于偶极子翻转理论,通过对薄膜中偶极子的统计分布函数进行积分的方法,改进经典的Preisa-ch模型。由于改进的模型具有历史电场效应,可以用较少的参数方便、准确地仿真薄膜的电滞回线。结合金属-氧化物-半导体(MOS)结构...
周益春杨锋孙静张军
关键词:铁电薄膜铁电存储器
文献传递
一种用于模拟MFIS结构C-V特性和记忆窗口的改进模型
<正>针对传统模型未考虑历史电场效应等缺陷,用偶极子转换理论和半导体物理理论描述铁电薄膜极化强度-电场(P-E)关系和金属-氧化物-半导体(MOS)结构的电容-电压(C-V)特性和记忆窗口,将P-E关系代入C-V关系中,...
孙静郑学军
关键词:C-V特性
文献传递
串联结构d_(15)模式PZT-51压电俘能器的研究被引量:1
2013年
设计并制作了串联结构剪切模式(d15)PZT-51压电俘能器,其两PZT-51单元并肩放置,极化相反构成串联结构。在不同负载、不同频率下测量了该压电俘能器的电学性能。其中在73Hz频率处,该压电俘能器连接2.2MΩ负载对应的输出峰-峰值电压为12.4V,输出功率为8.7μW。同时通过有限元分析模型,将模拟的数值解与实验测量值进行对比发现两者较吻合。结果表明,所设计的串联结构d15模式PZT-51压电俘能器有应用于俘获环境中低频振动能的前景。
赵吉鹤郑学军张勇孙静周良彭书涛
关键词:有限元法
一种测量压电材料压电系数d<Sub>15</Sub>的准静态方法
本发明公开了一种测量压电材料压电系数d<Sub>15</Sub>的准静态方法,包括下述步骤:(a)基于Timoshenko梁理论,利用d<Sub>15</Sub>工作模式压电层合悬臂梁,提出测量压电材料压电系数d<Sub...
郑学军彭金锋刘勋张勇孙静
文献传递
铁电薄膜场效应晶体管存储器件的失效机制及器件力学
基于偶极子翻转理论,通过对薄膜中偶极子的统计分布函数进行积分的方法,改进经典的Preisach模型。由于改进的模型具有历史电场效应,可以用较少的参数方便、准确地仿真薄膜的电滞回线。结合金属-氧化物-半导体(MOS)结构的...
周益春杨锋孙静张军
关键词:铁电薄膜铁电存储器场效应晶体管
文献传递
高介电铁电薄膜的空间电荷限制电流模拟
在传统模型中,介电常数的电场依赖效应是通过实验曲线拟合得到的,缺少理论基础。另一方面,有文献指出铁电非线性(极化)对电压–电流特性有很重要的影响。尽管已有相关模型研究这种影响,但模型中存在一些缺陷。在本文中我们利用铁电极...
孙静郑学军
关键词:铁电薄膜空间电荷电压-电流特性
一种测量压电材料压电系数d<Sub>15</Sub>的准静态方法
本发明公开了一种测量压电材料压电系数d<Sub>15</Sub>的准静态方法,包括下述步骤:(a)基于Timoshenko梁理论,利用d<Sub>15</Sub>工作模式压电层合悬臂梁,提出测量压电材料压电系数d<Sub...
郑学军彭金锋刘勋张勇孙静
文献传递
一种用于模拟MFIS结构C-V特性和记忆窗口的改进模型
针对传统模型未考虑历史电场效应等缺陷,用偶极子转换理论和半导体物理理论描述铁电薄膜极化强度-电场(P-E)关系和金属-氧化物-半导体(MOS)结构的电容-电压(C-V)特性和记忆窗口,将P-E关系代入C-V关系中,对现有...
孙静郑学军
关键词:C-V特性铁电薄膜
文献传递
铁电薄膜场效应晶体管存储器件理论建模
偶极子翻转理论,通过对薄膜中偶极子的统计分布函数进行积分的方法,改进经典的Preisach模型.由于改进的模型具有历史电场效应,可以用较少的参数方便、准确地仿真薄膜的电滞回线.结合金属-氧化物-半导体( MOS)结构的半...
周益春孙静张军杨锋
关键词:FERROELECTRICMFIS
共1页<1>
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