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王春栋

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:电子科技大学物理电子学院更多>>
发文基金:教育部留学回国人员科研启动基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇铁电
  • 2篇铁电薄膜
  • 1篇相图
  • 1篇介质层
  • 1篇表面层

机构

  • 2篇电子科技大学
  • 1篇南京航空航天...

作者

  • 2篇王春栋
  • 1篇滕保华
  • 1篇周飞
  • 1篇程登木

传媒

  • 1篇四川师范大学...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
基于横场Ising模型两种不同材料铁电薄膜相变性质研究
铁电薄膜(PZT,BST,BTO等)具有压电、热释电、电光、声光、光折变、非线性光学效应和高介电系数等优良特性,具有重要的基础研究和应用价值。 对铁电薄膜的理论研究主要是运用横场伊辛模型(TIM),研究铁电薄膜...
王春栋
关键词:铁电薄膜
文献传递
两表面层铁电薄膜体介质层效应理论研究
2011年
基于横场伊辛模型的平均场近似理论,研究了具有两个表面层铁电薄膜的体介质层对整个铁电薄膜相变性质的影响.给出了一个适合于研究任意层数具有两个表面层及体介质层铁电薄膜相变性质的递归公式.研究了体介质层的交换相互作用参量和横场参量对整个铁电薄膜相图的影响,以及交换相互作用参量对横场参量过渡值的影响和横场参量对交换相互作用参量的影响.结果表明,相图中铁电区、薄膜的居里温度、体介质层的横场参量过渡值均随体介质层的交换相互作用参量的增大而增大;体介质层的交换相互作用参量随体介质层的横场参量的增大而增大;而相图中铁电区、薄膜的居里温度却随体介质层的横场参量的增大而减小,并且发现体介质层的交换相互作用参量对薄膜的影响比其横场参量稍大些.最后也给出了两个表面层的交换相互作用对相图的影响.
王春栋滕保华程登木周飞
关键词:铁电薄膜相图
共1页<1>
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