李平
- 作品数：2 被引量：13H指数：2
- 供职机构：南京理工大学电子工程与光电技术学院更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 高性能2～18GHz超宽带MMIC6位数字衰减器被引量：9
- 2012年
- 介绍了一种高性能2～18GHz MMIC 6位GaAs PHEMT数字衰减器的设计、制造和测试结果。研制的单片数字衰减器衰减步进为0.5dB;最大衰减范围为31.5dB;参考态插入损耗<5.71dB;所有衰减态的输入、输出电压驻波比<1.8;衰减精度:+2.31dB/-0.51dB;插入相移:+6.28°/-1.53°;64态幅度均方根误差<1.0dB;64态相移均方根误差<1.3°;芯片尺寸:2.89mm×1.22mm×0.1mm。工艺成品率高达85%。
- 戴永胜李平孙宏途徐利
- 关键词：数字衰减器微波单片集成电路砷化镓超宽带赝配高电子迁移率晶体管
- 6～18GHz GaAs PHEMT5位MMIC数字移相器被引量：5
- 2012年
- 采用GaAs PHEMT工艺研制开发了一款6～18 GHz五位MMIC数字移相器。通过建立精确的器件模型、选择合理的单位拓扑以及设计优化原理图和版图,并在优化过程中采用性能冗余优化策略,保证了产品各项性能优异和高成品率。测试的电性能典型值表明,在工作频率范围内,11.25°/22.5°移相位的相移误差<2.5°,45°/90°/180°移相位的相移误差<5°,相移均方根误差<4.5°,插入损耗保持在7dB～10.5dB的范围内,32种相移态输入端与输出端的驻波比均小于1.7,最终芯片面积仅为3.555mm×4.055mm×0.1mm,可广泛用于相控阵雷达与电子对抗等系统。
- 戴永胜陈曦陈少波徐利李平
- 关键词：微波单片集成电路数字移相器砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
