陶华龙
- 作品数：14 被引量：19H指数：3
- 供职机构：大连交通大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金河南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- N掺杂6H-SiC电子结构的第一性原理计算
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法，对本征6H-SiC、Si空位、C空位、N掺杂6H-SiC的电子结构和磁性进行了计算。计算结果表明：本征6H-SiC和单一的N掺杂6H-SiC均没有磁性，但可以通过Si空位的...
- 林龙祝令豪徐永豪张志华陶华龙黄敬涛王朋涛李先宏张战营
- 关键词：稀磁半导体电子结构第一性原理
- 3C-SiC电子结构和磁性的第一性原理计算被引量：3
- 2016年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,分别计算了Si空位、单个Al、Al与Si空位共掺杂3C-Si C的电子结构和磁性。结果表明:本征3C-Si C没有磁性,单一的Al掺杂对其磁性的改进也没有影响,但可以通过Si空位的引入产生自旋极化。在A1和Si空位共掺杂3C-Si C的结构中,Si空位近邻的C原子的自旋向上与自旋向下的态密度图明显不对称,主要是由与Si空位近邻的C-2p轨道的自旋极化引起的。
- 林龙李先宏张波张战营张志华陶华龙何明
- 关键词：稀磁半导体电子结构第一性原理
- 4H-SiC基稀磁半导体的电子结构被引量：3
- 2013年
- 通过第一性原理计算研究3d过渡金属元素(TM)掺杂六方结构碳化硅(4H-SiC)晶体和Al、TM共掺杂4H-SiC晶体的总能和磁学性质.掺杂4H-SiC结构的稳定性取决于TM和Si原子的化学势.结果发现在TM掺杂4H-SiC体系中,掺杂Ti的结构是最稳定的,而Al、TM共掺4H-SiC中掺杂V的结构是最稳定的.对比TM元素单掺杂和Al与TM元素共掺杂体系的磁性质可知,Al有稳定结构和影响结构磁性的作用.
- 黄国亮张志华陶华龙
- 关键词：电子结构掺杂
- Ti掺杂LiZnAs的电子结构和磁学性能被引量：2
- 2022年
- 通过采用第一性原理计算,研究Ti不同掺杂位置对LiZnAs电子结构和磁学性能的影响.在Ti原子附近,随机位置添加Li间隙原子,进而为掺杂体系引入电子载流子,研究电子载流子对掺杂体系磁稳定性的影响.结果表明:Li(ZnTi)As体系的磁性起源于p-d杂化作用,p-d杂化导致Ti-3d电子自旋极化.掺杂组态的磁矩主要由Ti原子提供,其中最近邻掺杂组态Ti提供的原子磁矩最大为1.90μ_(B).Li(ZnTi)As体系的基态为铁磁稳定,Ti离子间通过双交换作用发生铁磁耦合.Li间隙原子属于n型掺杂,为掺杂体系提供电子载流子.巡游的载流子有助于磁性离子之间的电子交换,体系的铁磁稳定性增强.
- 王满富何明崔岩陶华龙张志华
- 关键词：第一性原理计算电子结构磁学性能
- 一种无担载纳米晶二氧化锡的制备方法及其应用
- 本发明公开一种无担载纳米晶二氧化锡的制备方法，在乙二醇中使用强碱试剂水解水溶性锡盐，生成白色絮状沉淀，为锡的氢氧化物。在此基础上将锡的氢氧化物重新溶解于乙二醇中，80～100℃条件下，调节pH值，沉降析出二氧化锡。本发明...
- 王琪陶华龙李志强陈春焕韩蕾刘珊珊
- 文献传递
- 第一性原理计算Al原子及空位掺杂6H-SiC的电子结构和磁性能（英文）被引量：2
- 2019年
- 基于密度泛函理论的第一性原理,研究了6H-SiC的不同掺杂体系如碳空位(V_C)掺杂体系、硅空位(V_(Si))掺杂体系及(Al,V_(Si))共掺杂体系的电子结构和磁性。结果表明:单独的V_C或V_(Si)掺杂体系具有微弱的磁性,而(V_C,V_(Si))共掺杂体系呈现出强烈的磁性,其原因归结于V_C和V_(Si)之间强烈的耦合效应,致使碳原子附近的空位产生强烈的自旋极化。虽然在Al原子单独掺杂6H-SiC的体系中没有发现磁性,但是(Al, V_(Si))共掺杂体系具有明显的磁性,表明磁性并非源于Al原子的3p轨道,而是来源于C原子的2p轨道。研究结果为6H-SiC在稀磁半导体自旋电子器件上的潜在应用提供理论依据。
- 张明军黄敬涛林龙余伟阳徐永豪陶华龙祝令豪王朋涛张战营
- 关键词：稀磁半导体第一性原理
- 一种无担载纳米晶二氧化锡的制备方法及其应用
- 本发明公开一种无担载纳米晶二氧化锡的制备方法，在乙二醇中使用强碱试剂水解水溶性锡盐，生成白色絮状沉淀，为锡的氢氧化物。在此基础上将锡的氢氧化物重新溶解于乙二醇中，80～100℃条件下，调节pH值，沉降析出二氧化锡。本发明...
- 王琪陶华龙李志强陈春焕韩蕾刘珊珊
- 磷化钴(101)面析氢性能的第一性原理研究
- 2018年
- 计算了磷化钴(101)面的吸附氢自由能以及掺杂不同3d金属元素(Cr、Fe、Ni、Cu、Ga)对其析氢性能的影响.研究表明:掺杂Co元素周期表右边的元素(Ni、Cu、Ga)会提高其析氢性能,且掺杂位置和掺杂浓度对其自由能变化影响很大,研究结果为理解Co P及掺杂Co P的析氢反应性能提供了理论参考.
- 王登兴陶华龙张秋菊张志华
- 关键词：析氢反应掺杂
- 氧空位对钴掺杂氧化锌稀磁半导体电子结构的影响
- 2012年
- 通过第一性原理计算对Co掺杂ZnO稀磁半导体的磁学性质和电子结构进行了研究.对氧空位出现在不同位置时体系总能进行计算,证实氧空位更容易在Co原子附近生成.电子结构计算表明Co-3d自旋电子在费米能级附近产生了自旋极化现象,提供局域磁矩;通过研究两个Co原子掺杂ZnO体系的电子结构,证实铁磁性的产生是两个Co原子耦合的结果,氧原子起到了一定的调制作用.
- 陶华龙张志华黄国亮
- 关键词：磁性半导体电子结构第一性原理
- Co掺杂4H-SiC电子结构的第一性原理计算被引量：7
- 2017年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法研究Co掺杂4H-SiC的电子结构和磁性。计算结果表明:Co掺杂引入了空穴,产生自旋极化。Co掺杂4H-SiC的价带顶和导带底分别由Co的3d态和C的2p态占据,而Si的2p轨道作用较小。通过计算10种可能的掺杂位置,确定了铁磁性最稳定的组态。由于Co_0:3d-C:2p-Co_6:3d链之间存在一定的耦合关系,Co与C原子间强烈的d-p轨道杂化使得Co掺杂4H-SiC处于较稳定的铁磁基态。Co的引入使得基体空穴增加,缺陷调节下空穴载流子的远程交换(RKKY)机制导致了铁磁性的出现。
- 林龙祝令豪李先宏张志华何明陶华龙徐永豪张战营曹建亮
- 关键词：稀磁性半导体电子结构第一性原理4H-SIC
