吴革明
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
- 供职机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程更多>>
- 低压化学气相沉积生长双层石墨烯及其电输运特性研究被引量：2
- 2013年
- 采用低压化学气相沉积法(LPCVD)以铜箔为生长衬底来制备石墨烯。XRD表征得石墨烯生长前后铜箔衬底主要为(100)晶面,而且铜箔在高温下退火晶粒明显长大有利于高质量石墨烯的生长。拉曼光谱表明所制备的石墨烯为双层结构。通过转移、刻蚀等工艺制备了石墨烯场效应晶体管(G-FET)原型器件,其转移特性曲线(IDS-VGS)表明所制备的石墨烯表现为p型输运特性。在器件中石墨烯的XPS图谱说明了石墨烯吸附有有机物基团,导致p型特性的部分原因。同时本文研究了真空退火对G-FET器件性能的影响,结果表明:退火温度为200℃时,G-FET的空穴载流子迁移率最佳;而随着温度增加,开关比(ON-OFF ratio)在不断减小,载流子迁移率迅速在降低。
- 曾亭吴革明赵鸿滨杨萌萌魏峰杜军
- 关键词：RAMAN光谱退火输运特性
- 石墨烯/n-Si异质结光伏及光响应性能研究被引量：3
- 2015年
- 采用化学气相沉积法(CVD)在铜箔上制备石墨烯,与n型硅(n-Si)形成石墨烯/n-Si异质结并研究了该结构的光伏和光响应性能。采用拉曼光谱和高分辨透射电镜(HRTEM)分析对石墨烯的结构进行了表征,并通过制备和测试石墨烯场效应晶体管考察了石墨烯的电学性能。采用光刻、等离子刻蚀等工艺将石墨烯与n-Si结合制备成异质结,在标准光源下对其光电性能进行测试。结果表明石墨烯为单层且呈现p型输运特性,载流子迁移率为3900 cm2·V-1·s-1。在无光照条件下,石墨烯/n-Si异质结表现出较好的整流特性。加上光照之后,表现出良好的光伏性能,开路电压和短路电流分别为0.28 V和0.87 m A,填充因子为0.37。同时该异质结在光响应测试中表现出非常快的响应速度和良好的稳定性,光源开启和关闭时的弛豫时间分别为96.9和84.9 ms,且在多个循环之后电流大小保持不变。对石墨烯/n-Si异质结良好的光响应及光伏特性的机制进行了简要分析,认为石墨烯高的电子迁移率及良好的光透过性起到了关键性作用。
- 吴革明曾亭赵鸿滨魏峰杜军屠海令
- 关键词：石墨烯化学气相沉积异质结光响应光伏特性
- 基于石墨烯异质结的光电性能研究
- 石墨烯因具备极好的导电性、导热性以及透光率,可以在微电子、光电子等领域起到重要应用。石墨烯的制备技术也获得了长足的进步,为下一步实现工业化起到了积极的推进作用。本论文采用化学气相沉积法(CVD)在铜箔上制备了单层石墨烯,...
- 吴革明
- 关键词：石墨烯化学气相沉积氧化锌电致发光
