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崔荣

作品数：6 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 6篇波导
  • 3篇探测器
  • 3篇光电
  • 3篇光电探测
  • 3篇光电探测器
  • 2篇单模
  • 2篇单模传输
  • 2篇雪崩
  • 2篇雪崩光电探测...
  • 2篇匹配层
  • 2篇耦合器
  • 2篇无源
  • 2篇光斑
  • 2篇光探测
  • 2篇光纤
  • 1篇单模波导
  • 1篇电极
  • 1篇调制器
  • 1篇折射率
  • 1篇石墨

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇韩勤
  • 6篇杨晓红
  • 6篇尹伟红
  • 6篇吕倩倩
  • 6篇崔荣
  • 6篇李彬
  • 1篇尹冬冬

传媒

  • 1篇激光与光电子...

年份

  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器
本发明公开了一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器(APD)，该雪崩光电探测器包括：衬底；形成于衬底之上的单模传输光波导，用于实现匹配光斑在其中低损耗单模传输，并使光渐渐向上消逝场耦合进入光匹配层；形成于单模传输光波导之上的...
崔荣杨晓红李彬尹伟红吕倩倩韩勤
文献传递
SOI波导与InGaAs/InP光电探测器的集成被引量：4
2014年
成熟的CMOS技术可制备无源光学器件,但高效光源和高性能光探测仍需要III^V族半导体材料。综述了近期III^V族外延片与SOI(silicon-on-insulator)波导集成的键合技术,按键合材料的不同分为无机和有机材料键合。着重分析了各种InGaAs/InP光电探测器与SOI波导集成的光耦合方案,并对其优缺点进行对比。同时给出设计的一种倏逝波耦合的InGaAs/InP光电探测器,用时域有限差分(FDTD)法对器件光学特性进行了模拟,以SOI上有机键合的方式,获得95%的探测器吸收效率,表明该SOI波导集成的光电探测器可实现小体积、低损耗及高响应度的光探测,符合片上光互连系统的要求。
崔荣杨晓红吕倩倩尹冬冬尹伟红李彬韩勤
关键词：探测器键合技术
InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法
本发明提供一种InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法，所述InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器，包括：一衬底；一下包层，其制作在衬底的中间部位，其形状为铲子形，一端为铲子的头部，另一端为柄部；铲形头部的前...
吕倩倩韩勤崔荣李彬尹伟红杨晓红
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一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器
本发明公开了一种双步消逝场耦合的雪崩光电探测器(APD)，该雪崩光电探测器包括：衬底；形成于衬底之上的单模传输光波导，用于实现匹配光斑在其中低损耗单模传输，并使光渐渐向上消逝场耦合进入光匹配层；形成于单模传输光波导之上的...
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InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法
本发明提供一种InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器及制备方法，所述InP基的无源线波导的光纤光斑转换耦合器，包括：一衬底；一下包层，其制作在衬底的中间部位，其形状为铲子形，一端为铲子的头部，另一端为柄部；铲形头部的前...
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石墨烯的低折射率差波导调制器及制备方法
一种石墨烯电吸收低折射率差波导调制器，包括：一衬底；一下包层，其制作在衬底上；一波导芯层，其制作在下包层上的中间部位，形成脊形结构；一ITO透明电极，其制作在波导芯层上及两侧，并覆盖暴露的下包层的上表面；一下绝缘介质层，...
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