何国荣
- 作品数：69 被引量：61H指数：5
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- 相关领域：电子电信文化科学理学自动化与计算机技术更多>>
- 基于小生境免疫算法的阵列天线方向图零点生成技术
- 2011年
- 本文将小生境思想融入到免疫算法中,提出了一种小生境免疫算法。该算法对抗原识别后的抗体种群用小生境技术进行重构,将搜索空间划分为各自独立的小生境,并在各小生境内独立搜索,增强了抗体的多样性;引入小生境共享机制,用共享度控制抗体的促进和抑制,适当抑制高亲和度抗体的繁殖,克服了精英种群的冗余。将提出的小生境免疫算法(NDC_IA)应用于阵列天线方向图零点生成技术中,得到了较好的优化效果。
- 叶剑锋何国荣郭丽丽
- 关键词：免疫算法小生境阵列天线
- 键合界面对面发射激光器光与热性质的影响
- 2008年
- 通过界面有效吸收系数的计算及界面对腔模的反射率的影响可知,采用双面键合技术制备面发射激光器应使键合界面处于驻波场分布零点位置,同时界面厚度应该小于20nm以使器件光学性能受界面吸收系数的影响较小.采用有限元方法分析VCSEL温度分布,结果证实薄的键合界面使VCSEL有源区温度对界面的热导率和电导率改变不敏感,而厚的键合界面将可能使有源区温度有较大地升高,给器件带来严重的不良影响.亲水键合和疏水键合的SEM照片说明疏水处理界面较薄,适合用于器件的制备.而亲水处理界面厚度>40nm,对器件的光、热特性不利.
- 何国荣郑婉华渠红伟杨国华王青曹玉莲陈良惠
- 关键词：面发射激光器热导率电导率键合界面
- 高功率980nm垂直腔面发射激光器的温度特性被引量：7
- 2010年
- 应变补偿量子阱结构因带宽大、增益高和波长漂移速度低等特点而成为近年来研究的热点。首次介绍了国内980nm高功率InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)的变温实验,测得脉冲条件下600μm直径的器件在10～100℃温度范围内发射波长漂移速度为0.05nm/K,阈值电流随温度变化呈现先缓慢下降后迅速上升的特性。结合VCSEL反射谱、PL谱和增益峰值波长漂移速度,对器件阈值电流特性进行了合理的分析和解释。连续工作状态下,测试得到器件峰值功率为1W,根据波长与耗散功率的实验曲线及热阻计算公式,可估算出垂直腔面发射激光器热阻值为10K/W。
- 何国荣沈文娟王青郑婉华陈良惠
- 关键词：垂直腔面发射激光器高功率
- 检测键合质量的红外透视成像装置及调节方法
- 本发明一种检测键合质量的红外透视成像装置，其特征在于，包括如下几个部分：一灯箱，该灯箱为黑色，该灯箱前端开有一出光孔；一导轨，该导轨位于灯箱上的出光孔的前端，在该导轨上依次排列有第一凸透镜、小孔光阑、第二凸透镜、样品架及...
- 何国荣郑婉华杨国华石岩渠红伟宋国锋陈良惠
- 文献传递
- 非极性面氮化镓纳米锥材料的制备方法
- 本发明公开了一种非极性面氮化镓纳米锥材料的制备方法。该非极性面氮化镓纳米锥材料包括依次层叠结合的铝酸锂衬底、氮化镓缓冲层和氮化镓模板层以及生长在所述氮化镓模版层外表面的氮化镓纳米锥。其制备方法包括获取铝酸锂衬底、外延氮化...
- 王新中唐飞李世国张宗平何国荣谢华
- 文献传递
- 低温晶片键合的方法
- 一种低温晶片键合的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将单面抛光的Si外延片和InGaAs外延片用有机溶剂清洗，去除表面的有机物，该InGaAs外延片的底层为InP衬底；步骤2：再分别对Si外延片和InGaAs外延片...
- 彭红玲陈良惠郑婉华石岩渠红伟杨国华何国荣
- 高功率VCSEL中应变补偿量子阱的理论设计被引量：9
- 2008年
- 利用模型固体理论、k.p理论和Pikus-Bir理论,研究了InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱,得出了较为简单通用的设计方法;进而研究了阱宽、InGaAs中In组分和GaAsP中P组分等参数对跃迁波长的影响。理论计算发现,与InGaAs/GaAs普通量子阱相比,InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱能提供更深的载流子阱和更大的增益。按照提出的理论设计方法,研制了含InGaAs/GaAsP应变补偿量子阱的垂直腔面发射激光器(VCSEL),理论计算和实验结果相吻合。
- 王青曹玉莲何国荣韦欣渠红伟宋国峰陈良惠
- 780nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs高功率半导体激光器被引量：1
- 2006年
- 采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH)的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长.在室温下外延材料的荧光峰值波长为764nm,由于In原子的记忆效应(Incarry-overeffect)和As/P的替换作用使材料的InGaP/AlGaAs界面不陡峭,通过在InGaP/AlGaAs间长一层5nm的GaAsP大大改善了界面质量.器件的阈值电流从界面改善前的560mA减小到改善后的450mA,斜率效率也从0.61W/A提高到了0.7W/A,特别是单面最大输出功率已经从370mW增加到了940mW,发生灾变性光学损伤时的工作电流已经由原来的1100mA上升为1820mA.
- 曹玉莲廉鹏王青吴旭明何国荣曹青宋国峰陈良惠
- 关键词：增益阈值电流激光器
- 高职移动通信技术专业实践教学体系系统化构建研究被引量：4
- 2013年
- 移动通信技术专业应以专业岗位核心能力培养系统化研究为基础,以国家职业资格认证标准为考核标准,构建特色鲜明的实践教学体系。实践教学体系的系统化构建能够有效解决高职实践教学基地的内涵建设、校内实训课程的衔接、校内外实践课程的融合、生产性实习和顶岗实习的间歇性与企业生产实际的矛盾以及实践教学体系的运行等问题。
- 刘俊何国荣曾欣
- 关键词：高职教育实践教学移动通信技术实训基地课程体系
- 一种氮化镓自支撑衬底的制备方法
- 本发明适用于材料制备领域，提供了一种氮化镓自支撑衬底的制备方法，所述方法包括如下步骤：利用电子束蒸发、电化学腐蚀和刻蚀制备出均匀分布的氮化镓纳米柱状阵列，然后再置于反应腔内生长氮化镓膜。此氮化镓自支撑衬底的制备方法降低了...
- 王新中王瑞春谢华何国荣刘德新杜军高潮
- 文献传递
