赵冉
- 作品数：3 被引量：0H指数：0
- 供职机构：浙江大学材料与化学工程学院硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程理学更多>>
- 预极化对PST薄膜介电可调性的影响
- 2008年
- 采用溶胶凝胶工艺,在ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了Zn掺杂的Pb0.4Sr0.6TiO3(PST)铁电薄膜。利用XRD测定了薄膜的相结构,精密阻抗分析仪研究了薄膜的介电性能。在不同外加直流电场下测试Zn掺杂PST薄膜的介电性能,研究薄膜的介电可调性大小与外加偏压施加顺序的关系。结果表明,该薄膜呈现单一的钙钛矿相结构。发现了在预先施加一个相对较高的预极化电场,薄膜在零电场下的介电常数得到了提高。预极化能更多地激发出介电薄膜中偶极子数目,增大了薄膜在零偏压处的介电常数,从而提高了薄膜的介电可调性,在不同的测试电压下可分别从提高3%到提高45%不等,测试电压越低,表现出来的这种提高就越大。
- 郑赞杜丕一赵冉翁文剑韩高荣
- Zn掺杂制备介电可调PST薄膜
- 2008年
- 采用溶胶凝胶工艺,在ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了Zn掺杂的Pb_(0.4)Sr_(0.6)TiO_3(PST)铁电薄膜。XRD结果表明:550℃和600℃不同热处理条件下烧结的薄膜均呈单一的钙钛矿相结构。在不同外加直流电场下测试Zn掺杂PST薄膜的介电性能,研究薄膜的介电可调性与热处理温度及过程的关系。发现550℃条件下制备得到的Zn掺杂PST薄膜几乎没有介电可调性,而在600℃条件下制备的Zn掺杂PST薄膜具有明显的介电可调性。另外,600℃条件下制备的Zn掺杂PST薄膜,其可调性随着保温时间和冷却时间的延长有所增加,介电损耗随保温时间和冷却时间的增大而减小。
- 郑赞杜丕一赵冉翁文剑韩高荣
- 关键词：溶胶凝胶
- 预极化对PST薄膜介电可调性的影响
- 采用溶胶凝胶工艺,在ITO透明导电玻璃基板上成功地制备了Zn掺杂的Pb0.4Sr0.6TiO3(PST)铁电薄膜.利用XRD测定了薄膜的相结构,精密阻抗分析仪研究了薄膜的介电性能.在不同外加直流电场下测试Zn掺杂PST薄...
- 郑赞杜丕一赵冉翁文剑韩高荣
- 关键词：溶胶-凝胶工艺铁电薄膜介电性能
- 文献传递
