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文献类型

  • 7篇专利
  • 5篇期刊文章

领域

  • 6篇电子电信

主题

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  • 2篇组合逻辑电路
  • 2篇微米
  • 2篇逻辑电路

机构

  • 12篇中国电子科技...
  • 1篇东南大学

作者

  • 12篇邹文英
  • 7篇徐睿
  • 5篇罗静
  • 5篇薛忠杰
  • 5篇周昕杰
  • 5篇胡永强
  • 3篇顾展弘
  • 2篇桂江华
  • 2篇卓琳
  • 2篇王栋
  • 1篇罗晟
  • 1篇徐新宇
  • 1篇王淑芬
  • 1篇吴金
  • 1篇欧阳雪

传媒

  • 3篇电子与封装
  • 1篇电子器件
  • 1篇中国集成电路

年份

  • 1篇2024
  • 2篇2013
  • 7篇2012
  • 1篇2008
  • 1篇2007
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
用查表法实现数控振荡器的ASIC设计被引量:2
2012年
介绍了一种用查表法实现数控振荡器的专用集成电路设计方法,主要部件分为频率控制字寄存器、相位控制字寄存器、累加器、加法器、锁存器等。该电路具有频率分辨率高、频率变化速度快、相位可连续线性变化和生成的正/余弦信号正交特性好等特点,波形发生器存储量大、读取速度快。采用正向全定制设计存储器,嵌入片内集成,并引入流水线结构,设计出高速、高精度的数控振荡器。电路结构简单,可靠性高,该设计采用0.5μm单层多晶三层铝的CMOS工艺成功加工,在数控振荡器的传统设计方法上提高了电路精度和频率。
欧阳雪邹文英
关键词:频率控制字流水线
一种抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构
本发明涉及一种抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构,器包括半导体基板;所述半导体基板上设置有源区,所述有源区内设置对称分布的场氧区,所述场氧区通过对应的有源区隔离;所述有源区内设有栅极端,场氧区对称分布于栅极...
罗静王栋邹文英薛忠杰周昕杰胡永强
文献传递
双通道总线收发器设计被引量:1
2007年
文章首先简单介绍了RS-485串行数据接口标准,并概述了串行通讯协议的定义及分类,之后详细分析了SDLC数据帧格式。最后介绍了一个基于RS-485串行数据接口标准的双通道总线收发控制器的设计原理、工作方式及采用的流程方法。
罗晟邹文英顾展弘
关键词:RS-485SDLC总线收发器
一种抗总剂量辐射效应的倒比例或小比例NMOS管版图结构
本实用新型涉及一种抗总剂量辐射效应的倒比例或小比例NMOS管版图结构,其包括半导体基板及有源区;半导体基板的有源区内淀积有多晶栅,有源区内对应淀积形成多晶栅的两端内分别设置源端注入保护环及漏端注入保护环,在源端注入保护环...
罗静徐睿邹文英薛忠杰周昕杰胡永强
文献传递
一款深亚微米ASIC芯片的后端设计被引量:4
2012年
采用0.18μm及以下工艺设计高性能的VLSI芯片面临着诸多挑战,如特征尺寸缩小带来的互联线效应、信号完整性对芯片时序带来的影响、时序收敛因为多个设计变量的相互信赖而变得相当复杂,使芯片版图设计师需深入介入物理设计,选用有效的EDA工具,结合电路特点开发有针对性的后端设计流程。文章介绍了采用Cadence公司Soc Encounter后端工具对基于0.18μm工艺的ASIC芯片后端设计过程,分为后端设计前的数据准备、布局规划、电源设计、单元放置及优化、时钟树综合、布线等几个阶段进行了重点介绍。同时考虑到深亚微米工艺下的互联线效应,介绍了如何预防串扰问题,以及在整个布局布线过程中如何保证芯片的时序能够满足设计要求。
邹文英徐新宇徐睿
关键词:布线时钟树串扰
一种抗总剂量辐射效应的倒比例或小比例NMOS管版图结构
本发明涉及一种抗总剂量辐射效应的倒比例或小比例NMOS管版图结构,其包括半导体基板及有源区;半导体基板的有源区内淀积有多晶栅,有源区内对应淀积形成多晶栅的两端内分别设置源端注入保护环及漏端注入保护环,在源端注入保护环与漏...
罗静徐睿邹文英薛忠杰周昕杰胡永强
文献传递
一种抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构
本实用新型涉及一种抗总剂量辐射效应的大头条形栅MOS管版图加固结构,器包括半导体基板;所述半导体基板上设置有源区,所述有源区内设置对称分布的场氧区,所述场氧区通过对应的有源区隔离;所述有源区内设有栅极端,场氧区对称分布于...
罗静王栋邹文英薛忠杰周昕杰胡永强
文献传递
一款28nm电路的同步开关输出噪声的仿真与设计
2024年
同步开关输出噪声是影响芯片信号完整性的主要噪声之一,较大的噪声有可能导致数字系统中元件的错误翻转。本文首先简要介绍了同步开关输出噪声的产生及特点,然后通过电路模型仿真,得到了与噪声相关的因素。最后结合实际电路,根据仿真的结果得到了控制同步开关输出噪声的方案。
邹文英王淑芬高璐李小强陈柱江
关键词:同步开关噪声
抗辐照的三模冗余电路结构
本发明提供了一种抗辐照的三模冗余电路结构,将电路的组合逻辑电路和时序逻辑电路都复制为三份,在三个时序逻辑电路之后添加表决器,让电路的每段路径都变成三份。另外在每段路径中都添加表决器,希望通过冗余路径和表决器所组成的结构,...
桂江华徐睿顾展弘邹文英卓琳
文献传递
深亚微米下脉冲压缩芯片的物理设计实例被引量:1
2008年
深亚微米下芯片的物理设计面临很多挑战,特别是对于超大规模电路,在后端设计流程上要有新的方法。本文以应用于数字滤波的脉冲压缩芯片的物理设计为例,采用"模拟IP"和改进的数模混合芯片设计流程,实现了模拟和数字部分的联合设计,保证了时序驱动下的持续收敛,并且详细介绍了布局规划、时钟树综合、时序优化及可靠性设计等关键步骤,可为其他类似的设计提供参考。
徐睿吴金邹文英
关键词:深亚微米物理设计数模混合集成电路布局布线脉冲压缩
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