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一种两级稀释的痕量气体混合装置及方法: 本发明公开了一种两级稀释的痕量气体混合装置及方法，混气腔包括第一混气腔以及第二混气腔，第一混气腔以及第二混气腔均连接有真空泵组；第一混气腔输出端与第二混气腔输入端连接，多路并联的微量气体通道输入端连接微量气体气源，输出端...; 潘毅冯尧张又麒刘逸凡孙佳鑫李昕怡郑汉宁

一种应变垂直MOS器件的制造方法: 一种应变垂直MOS器件的制造方法，在衬底上完成图形转移，再形成金属掩膜，通过进行刻蚀形成硅柱，减小硅柱直径，制备硅纳米线，并生长栅氧化层；淀积多晶硅、掺杂并激活杂质离子，形成环状栅极；在栅极外淀积应力氮化硅薄膜，形成应力...; 李尊朝苗治聪李昕怡张亮亮; 文献传递

单步启发式策略的备份虚拟机复用策略被引量：1: 2016年; 针对云环境中的备份虚拟机(VM)利用率过低的问题,提出了基于不停歇多臂赌博机(RMAB)方法的备份VM分时复用策略,并给出了获得最优解的条件。该策略将每个备份VM形式化为具有"空闲"(1)和"占用"(0)两种状态的Markov过程,将多个备份VM的调度问题形式化为具有多个Markov过程的Markov决策问题(MDP),最终目标是期望在有限的备份VM数量下,最大化备份VM的利用率同时保证系统整体的可用性不会明显降低。然而,利用传统的动态规划方法求解该问题时会出现维度爆炸的现象,从而导致问题不可解,故将该Markov决策问题转化为RMAB问题,然后利用简单易操作的单步启发式算法进行求解,并通过计算单步最优获得长期最优解,在特定条件下该策略可以保证得到的解为最优解。模拟实验结果表明:所提方法将备份VM与服务VM之间的备份比例从1∶1扩展成1∶M(M1),同时保证失效VM的恢复比率不低于96%,相应地备份VM的利用率显著提高;在VM失效率较低的条件下,备份VM利用率比1∶1备份时提高了89%;利用该备份VM调度策略,有助于减少整个云计算平台的建设和运维费用。; 陈鹏飞李昕怡齐勇张小辉; 关键词：可用性虚拟机迁移

基于队列模型的软件老化检测: 2013年; 针对传统的用于软件老化检测的方法忽略外部负载对老化的影响而易产生老化误报的问题,同时考虑性能参数与外部负载,提出了基于队列模型的融合外部负载的软件老化检测方法。队列模型输出每种事务在应用服务器中的服务时间,这种度量称为事务的性能"签名"(简记为TPS),以此作为软件老化度量指标,通过TPS的变化检测软件老化。基于TPC-W事务处理系统,设计与实现了包含队列模型的融合外部负载的软件老化检测系统。利用基于队列模型的检测方法在TPC-W测试床上进行软件老化检测得出了如下结论:基于TPS的老化检测可以融合外界负载因素,有效地检测软件老化;并且通过合理选择监测窗口,优化检测效果。基于TPS的检测方法对不同的变化负载类型和性能数据同样可以有效检测软件老化。通过与已有的仅依赖于系统性能数据的软件老化检测方法AR(自回归)比较,基于TPS的软件老化检测误报次数明显低于AR模型。综上所述TPS是一种能够有效地检测软件老化并显著减少软件老化错误报告的鲁棒性的软件老化检测方法。; 李昕怡齐勇陈鹏飞; 关键词：排队论

一种硅纳米线场效应晶体管制备方法: 本发明涉及微电子器件制造领域，公开了一种垂直硅纳米线围栅场效应晶体管自上而下的制备方法。该垂直纳米线场效应晶体管包括：半导体衬底，垂直设置在半导体衬底上的纳米线沟道区，沟道外是环状的栅导电层。所述纳米线沟道区上设置有源导...; 李尊朝尤一龙李昕怡黎相孟崔吾元; 文献传递

一种应变垂直MOS器件的制造方法: 一种应变垂直MOS器件的制造方法，在衬底上完成图形转移，再形成金属掩膜，通过进行刻蚀形成硅柱，减小硅柱直径，制备硅纳米线，并生长栅氧化层；淀积多晶硅、掺杂并激活杂质离子，形成环状栅极；在栅极外淀积应力氮化硅薄膜，形成应力...; 李尊朝苗治聪李昕怡张亮亮; 文献传递

基于队列模型的软件老化检测: 针对传统的用于软件老化检测的方法忽略外部负载对老化的影响而易产生老化误报的问题，本文同时考虑性能参数与外部负载，提出了基于队列模型的融合外部负载的软件老化检测方法。队列模型输出每种事务在应用服务器中的服务时间，这种度量称...; 李昕怡齐勇陈鹏飞; 关键词：排队论; 文献传递

一种硅纳米线场效应晶体管制备方法: 本发明涉及微电子器件制造领域，公开了一种垂直硅纳米线围栅场效应晶体管自上而下的制备方法。该垂直纳米线场效应晶体管包括：半导体衬底，垂直设置在半导体衬底上的纳米线沟道区，沟道外是环状的栅导电层。所述纳米线沟道区上设置有源导...; 李尊朝尤一龙李昕怡黎相孟崔吾元

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李昕怡