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刘东明

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇低应力
  • 1篇晶片
  • 1篇厚膜
  • 1篇厚膜工艺

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇蓝镇立
  • 1篇颜秀文
  • 1篇刘恺
  • 1篇刘东明

传媒

  • 1篇电力电子技术

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
低应力厚膜SOI晶片研究
2008年
利用离子注入、湿氧氧化、低温键合、背面减薄等工艺成功制备了低应力厚膜SOI晶片,并介绍了厚膜SOI晶片的厚度、界面和应力。该晶片的各层区域分明,界面平整,上层硅厚度为76.5μm,SiO2埋层厚度为0.865μm;晶片键合良好,有效键合面积大于95%,键合强度大于13.54J/m2;表面应力小于12.6MPa,适用于MEMS器件。
颜秀文刘恺刘东明蓝镇立
关键词：厚膜工艺低应力
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共1页<1>
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