王帅
- 作品数：36 被引量：16H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金全球变化研究国家重大科学研究计划更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程交通运输工程机械工程更多>>
- 利用工艺和器件仿真优化发射极提高单晶硅电池转换效率被引量：6
- 2014年
- 利用半导体工艺及器件仿真工具TCAD软件的工艺仿真模块模拟单晶硅电池制造过程中的扩散和热氧化过程,得到与测试结果相一致的掺杂分布曲线。在工艺仿真基础上,利用TCAD软件的器件仿真模块计算电池的转换效率和内量子效率,发现通过降低扩散温度以及在扩散之后加入热氧化工艺可减小发射极表面附近的掺杂,从而减小发射极复合以及表面复合,且热氧化还可减少发射极方阻,如果电池接触电阻增加较小的话,上述工艺可提高转换效率。通过测试实际电池的量子效率曲线对仿真进行验证,说明了器件仿真的准确性。
- 邢宇鹏韩培德范玉杰王帅梁鹏叶舟
- 关键词：发射极仿真
- 晶硅太阳电池中的离子注入掺杂及其格修复离子注入掺杂及其晶格修复
- History of Ion Implantation Ion Implantation:1)是一种对材料表层改性的方法.2)将杂质电离成离子并聚焦成离子束,在电场中加速而获得极高的动能后,注入到半导体中,从而实现掺杂....
- 韩培德梁鹏胡少旭王帅朱慧时赵春华
- 硅聚光太阳电池金属栅线的优化
- 本文主要研究了影响硼离子注入发射极单晶硅聚光太阳能电池效率的主要因素.研究结果表明,通过优化前表面金属栅线,10倍太阳聚光照射下,栅线间距为330微米的太阳能电池的效率可以提升大约10％.
- 娄世殊韩培德梁鹏邢宇鹏胡少旭朱慧时王帅张渊博
- 文献传递
- PIN探测器和跨阻放大器的光电单片集成被引量：3
- 2021年
- 设计了一种大面积、高响应度的硅基PIN探测器,PIN探测器的表面积为4.1 mm×13.8 mm,整体厚度为420μm左右。PIN探测器的光敏面采用环形Al电极将光电流信号引出,通过在波长为860 nm的恒定激光光源下进行测试,其响应度为0.6 A/W。提出了一种全新的光电单片集成的可行性方法,即利用PIN探测器非光照区的本征Ⅰ层面积,设计了一种与PIN探测器结构和工艺兼容的跨阻放大器,在保证了PIN探测器结构和性能没有发生改变的前提下,实现了PIN探测器和跨阻放大器的光电单片集成。最后在波长为860 nm、脉冲宽度为100 ns、工作频率为10 kHz的实际脉冲激光信号下对流片成功的PIN探测器和光电单片集成芯片的脉冲响应进行了对比测试。结果表明:在脉冲宽度基本没有发生变化的同时,光电单片集成芯片的脉冲电压信号相比于PIN探测器的脉冲光电流信号放大了1 000倍,放大倍数和理论的跨阻阻值1 000Ω一致。该集成光电芯片应用在激光引信系统的激光接收模块中,通过光电单片集成可以提高PIN探测器上输出端信号的信噪比,增强系统的稳定性,同时也可以满足激光引信系统小型化发展的需要。
- 王宁赵柏秦赵柏秦王震
- 关键词：PIN探测器跨阻放大器
- 一种激光对铝化物基板金属化的方法及铝化物基板
- 本发明公开了一种激光对铝化物基板金属化的方法及相应的铝化物基板。激光通过以二元光学为基础的光学整型元件对相位调制，得到平顶光，平顶光再通过振镜场镜系统聚焦照射到铝化物基板上。激光产生的超高温将铝化物分解出金属铝，从而获得...
- 王晓峰王帅刘敏杨富华
- 文献传递
- 一种单光子雪崩光电探测器焦平面阵列及制备方法
- 本发明实施例公开了一种单光子雪崩光电探测器焦平面阵列及制备方法，包括由下至上设置的第一电极、衬底、缓冲层、吸收层、渐变层、电荷层、帽层和保护层；第一电极设置于衬底的第一面，第一电极上设置有通光孔阵列；帽层内设置有阶梯状P...
- 王帅韩勤叶焓耿立妍陆子晴肖锋肖帆
- 文献传递
- 一种光电探测器及其制备方法
- 本公开提供了一种光电探测器，包括：衬底、N型接触层、收集层、悬崖层、吸收层、电子阻挡层、P型接触层、钝化层、第一通孔、第二通孔、p型电极、n型电极和微透镜，钝化层生长于衬底的上表面、N型接触层的上表面和侧面、收集层和悬崖...
- 肖帆韩勤叶焓王帅肖峰褚艺渺
- InP基平衡探测器集成芯片及其制备方法
- 本发明提供了一种InP基平衡探测器集成芯片及其制备方法，可以应用于光电子技术领域。包括：衬底；多模干涉耦合波导区，位于所述衬底之上，用于耦合信号光和本征光并实现功率均分，得到均分相干光信号；平衡探测器区，位置于所述衬底之...
- 郑煜韩勤叶焓王帅耿立妍褚艺渺肖帆
- 磷化铟基波导探测器及其制备方法
- 一种磷化铟基波导探测器及其制备方法，该探测器包括：磷化铟衬底；沉积于所述磷化铟衬底上的外延结构层，外延结构层包括：第一欧姆接触层，形成于磷化铟衬底上；强化吸收层，形成于第一欧姆接触层上，强化吸收层形成包层‑吸收层‑包层结...
- 肖帆韩勤叶焓王帅肖峰褚艺渺
- InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管阵列性能一致性研究被引量：2
- 2018年
- InGaAs/InP盖革模式雪崩光电二极管(APD)阵列的性能与阵列片内均匀性密切相关。阵列面元的主要结构参数有倍增区厚度、电荷层厚度和掺杂浓度、吸收区的厚度以及器件工作的过偏压。它们的不一致性不仅会造成器件本身性能的差异,还为后续的读出电路带来了巨大的挑战。通过研究APD结构参数变化对其击穿电压(V_(break))、暗计数率(DCR)和单光子探测效率(PDE)的影响,将APD阵列面元间击穿电压波动控制在±1V以内,使暗计数率和光探测效率的波动小于10%,从而得到不同温度下各个结构参数的最大允许波动值,确定了每个温度下制约器件性能的主要因素,为大规模、高性能盖革模式雪崩光电二极管阵列的材料生长和工艺制备提供了理论依据。
- 侯丽丽韩勤王帅王帅
- 关键词：盖革模式INGAAS/INP雪崩光电二极管阵列均匀性
