许鹏
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 22nm技术节点异质栅MOSFET的特性研究
- 2012年
- 研究了22 nm栅长的异质栅MOSFET的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFET的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFET进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFET的栅极由两种不同功函数的材料组成,因而在两种材料界面附近的表面沟道中增加了一个电场峰值,相应地漏端电场比同质栅MOSFET有所降低,所以在提高沟道载流子输运效率的同时也降低了小尺寸器件的热载流子效应。此外,由于该器件靠近源极的区域对于漏压的变化具有屏蔽作用,从而有效抑制了小尺寸器件的沟道长度调制效应,但是由于其亚阈值特性与同质栅MOSFET相比较差,导致漏致势垒降低效应(DIBL)没有明显改善。
- 杨颖琳胡成朱伦许鹏朱志炜张卫吴东平
- 关键词：异质栅金属氧化物半导体场效应晶体管热载流子效应表面电场表面势
- 微波退火条件下NiSi/Si肖特基势垒高度的调节被引量：3
- 2016年
- 为了满足尺寸不断缩小的金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)技术的需求,需要在低温条件下实现肖特基势垒高度的调节,利用杂质分凝技术,结合微波退火进行Ni Si/Si接触的肖特基势垒高度的调节,并采用先离子注入、后淀积金属形成金属硅化物(IBS)和先淀积金属形成金属硅化物后进行离子注入并退火(IAS)两种方案进行研究。通过C-V和I-V测试对制备的样品进行了电学表征,并通过计算给出了其肖特基势垒高度,结果表明微波退火可实现空穴和电子肖特基势垒的有效调节,而且IBS方案的调节效果优于IAS方案的调节效果。除此之外,相对于传统热退火技术,微波退火可以在更低的温度下实现相同肖特基势垒的调节。
- 周祥标许鹏付超超吴东平
- 关键词：NISI
- 微波退火对高k/金属栅中缺陷的修复被引量：1
- 2014年
- 研究了微波退火(MWA)对高k/金属栅中缺陷的修复作用。在频率为1和100 kHz下,对所有Mo/HfO2/Si(100)金属-绝缘体-半导体(MIS)结构样品进行C-V特性测试。通过在频率为100 kHz下测量的C-V特性曲线提取出平带电压与电压滞回窗口,从而估算出高k/金属栅中固定电荷密度和电荷陷阱密度,并用Terman方法计算出快界面态密度。通过研究在频率为1 kHz下测量的C-V特性曲线扭结,定性描述高k/金属栅中的慢界面态密度。结果表明,微波退火后,固定电荷、电荷陷阱、快界面态和慢界面态得到一定程度的修复。此外,和快速热退火相比,在相似的热预算下,微波退火可修复高k/金属栅中更多的固定电荷、慢界面态和电荷陷阱。但对于快界面态的修复,微波退火没有明显的优势。
- 陈玫瑰许鹏潘建峰吴东平
- 关键词：缺陷修复C-V测试
