杨付超
- 作品数：6 被引量：8H指数：2
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- TiO_2缓冲层的退火气氛对ZnO薄膜微结构和光学性能的影响
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法制备了ZnO/TiO2/Si薄膜,研究了TiO2缓冲层的不同退火气氛对ZnO薄膜的影响.利用X射线衍射分析(XRD)、紫外-可见分光光度计和荧光分光光度计等技术表征了ZnO/TiO2/Si薄膜的微结构和光学特性.XRD结果表明:沉积在经过O2退火缓冲层上的ZnO薄膜具有最好的c轴择优取向;透射吸收谱显示所有ZnO薄膜在可见光区域的平均透过率超过90%;引入未退火缓冲层后薄膜的光学带隙值增大,而缓冲层在真空、氧气进行退火后薄膜的光学带隙值均减小.薄膜的光致发光谱显示:所有样品出现了位于400nm,450nm和530nm的紫光峰、蓝光峰和绿光峰,并对各发光峰的来源进行了探讨.
- 马书懿张小雷杨付超黄新丽马李刚李发明赵强刘静
- 关键词：ZNO薄膜光致发光谱
- Ti缓冲层对ZnO薄膜吸收特性和荧光光谱的影响
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法在Si衬底和玻璃衬底上制备了ZnO/Ti薄膜,利用紫外-可见分光光度计和荧光分光光度计等技术表征了ZnO/Ti薄膜的光学特性,研究了Ti缓冲层的厚度对ZnO薄膜的影响。透射吸收光谱显示所有ZnO薄膜在可见光区域的平均透过率超过80%,当引入缓冲层后,薄膜的紫外吸收边先向长波方向移动,且随着缓冲层厚度的增加紫外吸收边向短波方向移动。薄膜的荧光光谱显示,所有样品出现了位于390nm的紫外发光峰,435和487nm的蓝光双峰以及525nm的绿光峰,并对各发光峰的来源进行了探讨。
- 张小雷马书懿杨付超黄新丽马李刚李发明赵强刘静靳钰珉
- 关键词：荧光光谱ZNO薄膜磁控溅射
- 基于高校教室资源优化方案探索被引量：6
- 2009年
- 教室是高校的一项主要的教学资源，而教室资源的合理安排直接影响到高校教与学的效果和质量．教室资源的安排也与全校的班级、课程、老师、教学时间等密切相关，怎样合理利用教室是许多高校面临的主要困惑．本文就高校教室资源的合理安排进行了探索，其基本思想是将教室的已有资源和课程的所需资源进行量化，在教学任务的确定下，按照特定的方法实现排课任务，从而使教室资源得到优化．
- 姚桂霞杨付超王小丽
- 关键词：高校教室课程安排
- 基底与Cu掺杂对ZnO微结构和光学性质的影响
- 多孔硅是一种多功能半导体材料，氧化锌具有新异的光学、电学及气敏特性。本文采用电化学腐蚀法以p型/(100/)单晶硅为原材料制备了多孔硅样品，然后以多孔硅，硅和玻璃为衬底采用射频反应磁控溅射技术在不同Cu掺杂浓度下制备了氧...
- 杨付超
- 关键词：基底射频磁控溅射
- 文献传递
- Cu掺杂浓度对ZnO/PS纳米复合体系光学性能的影响
- 2012年
- 用电化学阳极氧化法腐蚀p型(100)的单晶硅片制成多孔硅(PS)衬底,然后采用射频反应磁控溅射技术在PS衬底上沉积了不同Cu掺杂浓度的ZnO薄膜.利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外分光光度计和荧光分光光度计研究了不同Cu掺杂浓度对薄膜结构和光学性能的影响.XRD结果显示:所有样品都呈现出较强的(002)衍射峰,有很好的c轴择优取向;SEM形貌显示:ZnO晶粒覆盖了PS的孔洞,薄膜表面平整,晶界较明显;透射吸收谱显示:ZnO薄膜有较高的平均透射率,并随着Cu掺杂量的增加而降低,光学带隙值由3.22eV减小到3.15eV;样品的光致发光谱显示:ZnO/PS纳米复合体系在可见光区(380—750nm)形成了较宽的发光带,并且掺杂浓度对发光强度有显著的影响.ZnO的蓝光、绿光与PS的红橙光叠加,呈现出了较宽的白光发射.
- 马书懿杨付超张小雷黄新丽马李刚李发明刘静赵强
- 关键词：多孔硅射频反应磁控溅射X射线衍射光致发光谱
- 退火温度对同质缓冲层ZnO薄膜微观结构和光学特性的影响被引量：2
- 2012年
- 采用射频磁控溅射法在300℃真空退火处理过的同质缓冲层上制备了不同退火温度下的ZnO薄膜.使用X射线衍射仪(XRD)和光致发光(PL)等表征技术,研究了ZnO薄膜的微观结构和发光特性.结果表明:在6min缓冲层上制备的ZnO薄膜有较好的结晶质量,并且在适当的退火温度下薄膜的结晶质量进一步提高.薄膜在可见光范围内的平均透过率均超过90%,光学带隙值随退火温度的增加由3.221eV减小为3.184eV.在光致发光谱(PL)中观测到了5个主要的发光峰位,分别是紫外光(384nm)、紫光(420nm)、蓝光(455nm和473nm)和绿光(530nm).对发光机制进行详细讨论认为,紫外光是自由激子复合形成的,紫光与晶界缺陷的辐射跃迁有关,蓝光与氧空位和间隙锌缺陷有关,绿光发射主要是电子从氧空位深施主能级向锌空位浅受主能级上的辐射跃迁.退火温度从400℃增加到600℃时,455nm处的蓝光峰蓝移至447nm处,发光强度随退火温度增加而增加.继续升高退火温度至700℃,530nm处的绿光峰强度降低,认为和锌空位的减少有关.
- 马书懿赵强靳钰珉马李刚张小雷刘静杨付超李发明
- 关键词：ZNO薄膜光致发光辐射跃迁
