张琳
- 作品数：6 被引量：5H指数：1
- 供职机构：桂林理工大学化学与生物工程学院更多>>
- 发文基金：广西壮族自治区自然科学基金有色金属及材料加工新技术教育部重点实验室开放基金河源市科技计划项目更多>>
- 相关领域：理学电气工程一般工业技术化学工程更多>>
- 超声氧化聚合法制备H_(n+3)PMo_(12-n)V_nO_(40)/PANI复合电容材料
- 2015年
- 采用超声氧化聚合法,以自制的不同钒取代的磷钼杂多酸Hn＋3PMo12-nVnO40（n=1、2、3）配合过硫酸铵（APS）,合成三种聚苯胺基复合电容材料H4PMo11VO40/PANI、H5PMo10V2O40/PANI、H6PMo9V3O40/PANI,并通过元素分析、红外（IR）光谱、X-射线衍射图谱（XRD）和扫描电镜（SEM）对材料的成分、结构及表面形貌进行了表征。以复合材料在0.5 mol/L H2SO4电解液,-0.1-0.7 V电位范围下的循环伏安曲线所包围面积的大小为指标,重点研究了杂多酸与APS在氧化聚合苯胺过程中氧化作用的相对强弱,及二者配比对复合材料电学性能的影响。结果表明,按照原始反应物物质的量比,PMo11V∶APS∶An=1/2∶7/10∶1,PMo10V2∶APS∶An=1/3∶9/10∶1,PMo9V3∶APS∶An=1/2∶9/10∶1条件合成的复合材料电容特性较好,且APS为主要氧化剂,PMo12-nVn起辅助氧化的作用。
- 陈绍军肖顺华张琳
- 关键词：电容性能
- La^(3+)/Ce^(4+)掺杂对TiO_2光催化活性的影响被引量：1
- 2010年
- 以钛酸四丁酯为前驱体,采用溶胶-凝胶法制备纯的及掺杂稀土的TiO2,重点考察了退火温度对纳米颗粒晶相转变的影响。通过光催化降解实验,探讨了退火温度、退火时间、稀土离子掺杂浓度等因素对TiO2光催化活性的影响。结果表明,TiO2粉末在400℃下为锐钛矿型,具有很高的光催化活性;掺杂的TiO2纳米样品在短时间内降解均较未掺杂TiO2纳米样品的催化活性高;掺La3+最佳摩尔分数为0.05,掺Ce4+最佳摩尔分数为0.20,最佳退火温度为400℃,退火时间为9 h。掺La3+量相对较少时催化活性高,而掺Ce4+的纳米粉体在相对较高的浓度下可达到完全降解。
- 肖顺华张琳宝音
- 关键词：TIO2光催化活性
- H_6PMo_9V_3O_(40)/PANI复合电极材料的电容特性研究
- 2014年
- 采用超声氧化聚合法，以自制杂多酸H6PMo9V3O40作为质子酸掺杂剂兼辅助氧化剂，配合过硫酸铵（APS）氧化剂，合成了聚苯胺基复合电容材料H6PMo9V3O40／PANI。以此复合材料为活性物质制备电极，在0．5mol／LH2SO4电解液体系中，通过循环伏安、恒电流充放电和交流阻抗等技术研究其电化学性能。结果表明，H6PMo9V3O40／PANI电极体现出优良的法拉第赝电容特征，循环稳定性能良好，且大电流下充放电特征明显。在-0．1～0．7V（VS．SCE）电压和1．5A／g电流密度下，首次充电比电容量160．643F／g，放电比电容量153．225F／g，充放电效率95．38％，500次循环后，充电比电容量140．543F／g，衰减率12．51％，放电比电容量139．528F／g，衰减率8．94％，充放电效率99．27％。
- 陈绍军靳云霞肖顺华张琳
- 关键词：PANI
- 钛酸铅钡铁电薄膜的光学性能研究被引量：4
- 2010年
- 采用溶胶-凝胶工艺在石英衬底上制备了Pb1-xBaxTiO3(BPT,x=0～1)铁电薄膜。利用X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱(Raman)对薄膜的相变特性、晶粒尺寸、结构和表面形貌进行了表征。结果表明,在750℃的退火温度下,所有的样品都已经完全晶化为多晶钙钛矿结构,薄膜表面均匀致密。在x=0.4时,薄膜由铁电四方相结构转化为顺电立方相结构。采用紫外-可见分光光度计在200～1000nm波长范围内测试薄膜样品的光学透过率,并通过透射光谱计算了薄膜的光学带隙以及折射率和消光系数的色散关系。
- 肖顺华张琳宝音
- 关键词：溶胶-凝胶工艺铁电薄膜光学性能
- Hn+3PMo12-nVnO40/PANI复合电容材料的制备及电化学性能研究
- 为制备具有更高电容性的电化学材料,采用超声氧化聚合法,以自制的不同钒取代的磷钼杂多酸Hn+3PMo12-nVnO40(n = 1、2、3)配合过硫酸铵(APS),合成三种聚苯胺基复合电容材料H4PMo11VO40/PAN...
- 张琳靳云霞于鹏飞肖顺华
- H_4PMo_(11)VO_(40)掺杂辅助氧化法制备聚苯胺基复合电容材料
- 2011年
- 以自制的H4PMo11VO40作为质子酸掺杂剂兼辅助氧化剂,配合过硫酸铵氧化剂,采用固相研磨法制备了H4PMo11VO40/聚苯胺复合电容材料。通过X-射线衍射（XRD）、红外光谱（IR）对产物的结构特征进行表征,证实得到的产物确为掺杂复合材料,且该法所得产物结构有序、晶化率较好。以产物在0.5mol/L H2SO4电解液中的循环伏安曲线为指标,重点考察了H4PMo11VO40与过硫酸铵在氧化聚合苯胺时的最佳配合比例,以期得到电容性能较好的复合材料。结果表明,在苯胺单体、PMo11V与过硫酸铵的物质量比为1：1/3：9/10时,在-0.1~0.7V电位范围内,材料的比电容值最大,电容特性最优。
- 张琳肖顺华宝音
- 关键词：聚苯胺赝电容
