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杨小兵

作品数:1 被引量:6H指数:1
供职机构:中国航天北京微电子技术研究所更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇钝化
  • 1篇数对
  • 1篇刻蚀
  • 1篇工艺参

机构

  • 1篇中国航天北京...

作者

  • 1篇孙金池
  • 1篇王传敏
  • 1篇杨小兵

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2009
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
工艺参数对Si深槽刻蚀的影响被引量:6
2009年
采用Bosch技术研究了在Si深槽刻蚀中刻蚀/钝化比、刻蚀阶段钝化气体保护时间、刻蚀和钝化工艺重叠时间等工艺参数对刻蚀结果的影响。通过不同工艺条件的试验,发现刻蚀钝化比是影响侧壁结构的主要因素,其大小直接影响了深槽的垂直度;适当增加刻蚀阶段钝化气体通入时间对减小线宽损失有很大的作用,但增加过多会产生长草效应;合适的刻蚀和钝化工艺重叠时间,不仅可以减小侧壁表面的起伏度,还可以一定程度上减小线宽损失。采用刻蚀/钝化比为7:5、刻蚀阶段钝化气体通入时间为25min、刻蚀、钝化工艺重叠时间分别为0.5、1s的工艺条件,成功地实现了一个垂直度达(90±0.1)°、深40μm、线宽损失小于50nm的Si深槽刻蚀结构。
杨小兵王传敏孙金池
共1页<1>
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