李晓云
- 作品数：14 被引量：3H指数：1
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：中国科学院战略性先导科技专项国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>
- 增强型堆叠式ESD电路及混合电压输入输出接口电路
- 本发明提供增强型堆叠式ESD电路及混合电压输入输出接口电路，所述ESD电路在传统堆叠电路的基础上增加了偏置电压传输电路和高压传输电路；偏置电压传输电路，分别与分压电路及反相器电路连接，用于实现当内部ESD总线的电压为正常...
- 李晓云陈后鹏王倩李喜雷宇宋志棠
- 文献传递
- 一种用于PCRAM的嵌入式片内电容电荷泵
- 2017年
- 针对相变存储器小片内电容和低功耗的应用要求,在分析传统升压式电容电荷泵局限性的基础上,提出了一种应用于相变存储单元的嵌入式片内电容电荷泵。该电容电荷泵无需电感器件,存储单元不会受到高电磁干扰,采用了特殊的互补型电荷泵升压方法,具有电源效率高、瞬态响应速度快、面积小、电容可片内集成等优点。在SMIC 40nm标准CMOS工艺条件下,对设计的嵌入式片内电容电荷泵进行仿真。结果表明,负载电流变化为250mA/μs时,输出瞬态响应时间为374.2ns,电源转换效率可达81.65%,静态电流为7.22μA,输出能力为4V/2.5mA。
- 田震陈后鹏陈后鹏雷宇王倩李喜王倩
- 关键词：电荷泵低功耗电源效率瞬态响应
- 一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法
- 本发明提供一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法，所述电路结构包括N位循环计数器电路，与所述N位循环计数器电路连接的N个地址产生电路，及与N个所述地址产生电路连接存储器阵列，通过把对一个存储器字的N次操作分散到N个不同的...
- 陈后鹏李喜王倩李晓云雷宇郭家树陈小刚宋志棠苗杰
- 相变存储器的整体擦除装置
- 本发明提供一种相变存储器的整体擦除装置，主要是在现有相变存储器的基础上单独增加了包含擦除使能开关、字线电压产生电路、擦除电压产生电路、位线擦除开关电路以及字线擦除开关等的整体擦除装置，以避免受二进制独热码译码器的限制，而...
- 李晓云陈后鹏李喜王倩宋志棠
- 一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法
- 本发明提供一种扩展存储器操作次数的电路结构及方法，所述电路结构包括N位循环计数器电路，与所述N位循环计数器电路连接的N个地址产生电路，及与N个所述地址产生电路连接存储器阵列，通过把对一个存储器字的N次操作分散到N个不同的...
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- 一种基于相变存储器的高速读出电路设计被引量：3
- 2019年
- 通过对相变存储器中的读出电路进行改进,以提升存储器的读出速度;通过降低读出电路中灵敏放大器输出端电压摆幅,使得输出端电压提早到达交点,显著减小了读出时间;同时,基于中芯国际集成电路制造有限公司(SMIC)40 nm的互补金属氧化物半导体(CMOS)芯片制造工艺,利用8 Mb相变存储器芯片对改进的新型高速读出电路进行验证,并对新型电路的数据读出正确性进行仿真分析.结果表明:在读Set态相变电阻(执行Set操作后的低电阻)时,新型电路与传统读出电路的读出时间均小于1 ns;在读Reset态相变电阻(执行Reset操作后的高电阻)时,新型电路相比传统读出电路的读出速度提高了35.0%以上.同时,采用蒙特卡洛仿真方法所得Reset态相变电阻的读出结果表明:在最坏的情况下,相比传统读出电路的读出时间(111 ns),新型电路的读出时间仅为58 ns;新型电路在最低Reset态相变电阻(RGST=500 kΩ)时的读出正确率仍可达98.8%.
- 李晓云陈后鹏陈后鹏雷宇王倩李喜
- 关键词：相变存储器读出电路灵敏放大器
- 增强型堆叠式ESD电路及混合电压输入输出接口电路
- 本发明提供增强型堆叠式ESD电路及混合电压输入输出接口电路，所述ESD电路在传统堆叠电路的基础上增加了偏置电压传输电路和高压传输电路；偏置电压传输电路，分别与分压电路及反相器电路连接，用于实现当内部ESD总线的电压为正常...
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- 文献传递
- 三维存储器读出电路及其字线与位线电压配置方法
- 本发明提供一种三维存储器读出电路及其字线与位线电压配置方法，包括：在对三维存储单元阵列进行读操作时，通过配置模块将所述三维存储单元阵列中的所有位线置为读不选择位线电压，将所述三维存储单元阵列中的所有字线置为读不选择字线电...
- 雷宇陈后鹏李喜王倩李晓云张琪宋志棠
- 文献传递
- 相变存储器读出电路及其数据读取方法
- 本发明提供一种相变存储器读出电路及其数据读取方法，所述相变存储器读出电路至少包括：预充电电压产生模块，用于预设并产生一预充电电压；控制模块，用于在接收到外部读使能信号后，产生预充电信号；预充电模块，分别与m条所述本地位线...
- 雷宇陈后鹏王倩胡佳俊李晓云张琪田震宋志棠
- 相变存储器读出电路及其数据读取方法
- 本发明提供一种相变存储器读出电路及其数据读取方法，所述相变存储器读出电路至少包括：预充电电压产生模块，用于预设并产生一预充电电压；控制模块，用于在接收到外部读使能信号后，产生预充电信号；预充电模块，分别与m条所述本地位线...
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- 文献传递
