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张静昌

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇导体
  • 2篇增层
  • 2篇晶格
  • 2篇光电
  • 2篇光电二极管
  • 2篇二极管
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体结构
  • 2篇ALGAN
  • 2篇超晶格
  • 2篇衬底

机构

  • 2篇清华大学

作者

  • 2篇郑纪元
  • 2篇郝智彪
  • 2篇汪莱
  • 2篇罗毅
  • 2篇张静昌

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
AlGaN渐变组分超晶格雪崩光电二极管
本发明提供了一种半导体结构，自下至上依次包括：衬底；缓冲层；n型层；i型AlGaN渐变组分超晶格倍增层；第一p型层；i型光敏吸收层；以及第二p型层，其中，i型AlGaN渐变组分超晶格倍增层包括沿垂直于衬底表面方向叠置的N...
汪莱郑纪元张静昌郝智彪罗毅
AlGaN渐变组分超晶格雪崩光电二极管
本发明提供了一种半导体结构，自下至上依次包括：衬底；缓冲层；n型层；i型AlGaN渐变组分超晶格倍增层；第一p型层；i型光敏吸收层；以及第二p型层，其中，i型AlGaN渐变组分超晶格倍增层包括沿垂直于衬底表面方向叠置的N...
汪莱郑纪元张静昌郝智彪罗毅
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