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付蕾
付蕾
作品数:
2
被引量:2
H指数:1
供职机构:
河北工业大学
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发文基金:
河北省自然科学基金
国家科技重大专项
国家中长期科技发展规划重大专项
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相关领域:
电子电信
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合作作者
马欣
河北工业大学电子信息工程学院
张文倩
河北工业大学电子信息工程学院
刘玉岭
河北工业大学电子信息工程学院
王辰伟
河北工业大学电子信息工程学院
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河北工业大学
作者
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付蕾
1篇
王辰伟
1篇
刘玉岭
1篇
张文倩
1篇
马欣
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微纳电子技术
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1篇
2018
1篇
2017
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GLSI多层铜布线钴阻挡层CMP界面腐蚀的研究
随着技术节点降到14nm及以下,为了满足集成电路发展的要求,钴以其较低的电阻率、良好的台阶覆盖性、良好的黏附性和阻挡铜扩散性替代了性能较差的钽,成为新型阻挡层材料之一。国际上应用规模较大的酸性抛光液中加入缓蚀剂(BTA)...
付蕾
关键词:
阻挡层
碱性抛光液
电偶腐蚀
阻挡层CMP中铜钴电偶腐蚀的影响因素
被引量:2
2017年
在Co化学机械抛光(CMP)过程中,Co的化学反应活性强于Cu,Co/Cu界面存在较大的电化学腐蚀电位差。采用动电位扫描电化学技术,表征金属铜钴表面的电化学反应。采用降低Cu/Co接触腐蚀电位差的方法,表征铜钴电偶腐蚀。研究了阻挡层CMP中影响铜钴电偶腐蚀的几个因素:pH值、H_2O_2和FA/O螯合剂;并对其控制机理进行了深入的研究。实验结果表明:pH值对钴的腐蚀电位影响较大,对铜的腐蚀电位影响不大,随着pH值的增加降低了铜和钴的腐蚀电位差;在碱性环境下,H_2O_2可降低Cu和Co的腐蚀电位差(最小可降到3 mV),可有效抑制Cu和Co之间电偶腐蚀现象的产生;在H_2O_2基电解液中添加适量的FA/O螯合剂有助于降低Cu和Co的腐蚀电位差,对抑制Cu和Co电偶腐蚀现象的产生具有重大的作用。
付蕾
刘玉岭
王辰伟
张文倩
马欣
韩丽楠
关键词:
钴
铜
电偶腐蚀
H2O2
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