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苏小义

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:中国地质大学数学与物理学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:理学一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 1篇数值模拟
  • 1篇热释电
  • 1篇助烧剂
  • 1篇混沌
  • 1篇厚膜
  • 1篇分岔
  • 1篇PBO
  • 1篇PZT厚膜
  • 1篇ZR
  • 1篇值模拟
  • 1篇改进型

机构

  • 2篇中国地质大学
  • 1篇华中科技大学
  • 1篇襄樊学院

作者

  • 2篇苏小义
  • 1篇张光祖
  • 1篇马华玲
  • 1篇罗中杰
  • 1篇畅兴平
  • 1篇姚飞
  • 1篇夏清华
  • 1篇张捷钰

传媒

  • 1篇湖北大学学报...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
离散的改进型BVP振子混沌行为研究
2011年
在BVP方程的基础上,提出一个改进型BVP振子模型,并研究该模型在离散化后的动力学行为.同时利用Matlab进行数值模拟,描绘该模型在离散化后的分岔图以及不同参数情况下的相图、Lyapunov指数图,其结果证实理论分析.
夏清华苏小义畅兴平马华玲
关键词:分岔混沌数值模拟
PbO和Bi_2O_3-Li_2CO_3助烧剂对Pb(Zr_(0.9)Ti_(0.1))O_3厚膜热释电性能的影响
2013年
采用丝网印刷工艺制备了Pb(Zr0.9T0.1)O3(PZT)厚膜,研究了过量PbO和Bi2O3-Li2CO3共同助烧对PZT厚膜低温烧结特性、微观结构、相构成以及介电和热释电性能的影响。结果表明:随着过量PbO及Bi2O3-Li2CO3添加量的增加,PZT厚膜的烧结温度和晶粒尺寸均逐渐降低。当PbO过量6.4%(质量分数)、Bi2O3-Li2CO3添加量为5.4%(质量分数)时,PZT厚膜可在900℃低温下致密成瓷,且其热释电系数和探测率优值均得到大幅提高;所得样品在30℃时的热释电系数为10.6×10–8C.cm–2.K–1,探测率优值为8.2×10–5Pa–1/2。
罗中杰苏小义张捷钰姚飞张光祖
关键词:PZT厚膜助烧剂
共1页<1>
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