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罗飚

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：太原理工大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 2篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 3篇激光
  • 3篇激光器
  • 1篇电荷
  • 1篇电吸收
  • 1篇电吸收调制
  • 1篇电吸收调制激...
  • 1篇电吸收调制器
  • 1篇调制
  • 1篇调制激光器
  • 1篇调制器
  • 1篇时钟
  • 1篇时钟周期
  • 1篇势垒
  • 1篇势垒层
  • 1篇势阱
  • 1篇图像
  • 1篇图像特征
  • 1篇缺陷图像
  • 1篇阈值电流
  • 1篇量子

机构

  • 5篇太原理工大学

作者

  • 5篇李灯熬
  • 5篇贾华宇
  • 5篇罗飚
  • 3篇刘应军
  • 2篇赵霞飞
  • 2篇汤宝

年份

  • 1篇2024
  • 1篇2023
  • 1篇2017
  • 2篇2016
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种大功率直调激光器
本发明涉及半导体激光器领域，具体是一种大功率直调激光器。一种大功率直调激光器，该激光器从下到上依次为：N‑InP衬底、N‑InP缓冲层、Al<Sub>0.24</Sub>Ga<Sub>0.23</Sub>In<Sub>0...
贾华宇赵霞飞李灯熬罗飚刘应军
文献传递
InGaAsP/InP激光器结构与量子阱数的优化分析
为了优化适用于光纤通信和CATV 系统需求的高性能的量子阱激光器，对波长在1.55 微米左右的InGaAsP/InP 量子阱激光器的有源区结构和量子阱数目进行了优化分析.本文针对In(1-x)GaxAsyP(1-y)量子...
赵霞飞贾华宇李灯熬罗飚刘应军
高速电吸收调制激光器及其制备方法
本发明涉及电吸收调制激光器技术领域，提供了一种电吸收调制激光器制造方法。在对接生长制作过程中，通过溅射金属铜实现分布式反馈激光器和电吸收调制器对接处多量子阱层内部As和Ga元素混合，融入Cu元素，平衡对接界面各元素浓度，...
贾华宇郭嘉李灯熬罗飚汤宝
基于忆阻器的激光芯片缺陷图像特征分类系统及分类方法
本发明涉及激光芯片缺陷检测领域，半导体激光芯片在在工艺过程影响下易产生缺陷，本发明提供一种基于忆阻器的激光芯片缺陷图像特征分类系统及分类方法，根据忆阻器记忆电荷的特性在缺陷特征图像识别模块中对缺陷图片进行识别，通过忆阻器...
贾华宇李昊李灯熬罗飚汤宝
1.31μm AlGaInAs/InP应变多量子阱激光器有源区的研究
为了优化适用于长距离的光纤通信系统采用的1.31μm 的量子阱激光器，对AlGaInAs/InP 材料的应变补偿量子阱结构激光器进行了设计研究.采用该外延材料制作的脊宽为2.5μm 脊形波导结构的FP 激光器芯片，解理为...
朱天雄贾华宇李灯熬罗飚刘应军
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