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苗磊

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：宝鸡文理学院更多>>
相关领域：一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇中文专利

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇压电
  • 6篇SUB
  • 5篇陶瓷
  • 4篇水热
  • 4篇纳米
  • 3篇钛酸
  • 3篇钛酸钡
  • 2篇电容
  • 2篇电容器
  • 2篇电容器材料
  • 2篇多孔
  • 2篇多孔结构
  • 2篇多孔石墨
  • 2篇形貌
  • 2篇形貌可控
  • 2篇压电材料
  • 2篇压电常数
  • 2篇压电系数
  • 2篇氧化石墨
  • 2篇氧化石墨烯

机构

  • 19篇宝鸡文理学院

作者

  • 19篇苗磊
  • 17篇胡登卫
  • 9篇张珍
  • 7篇凡明锦
  • 7篇杨得锁
  • 6篇王艳
  • 5篇王晓玲
  • 5篇康芳
  • 4篇温普红
  • 3篇任莉君
  • 3篇赵立芳
  • 3篇翟乐
  • 2篇吕宏强
  • 2篇王冬梅
  • 2篇程花蕾
  • 2篇赵卫星
  • 2篇郭进宝
  • 2篇赵青
  • 2篇窦树梅
  • 2篇陈强

年份

  • 1篇2022
  • 4篇2021
  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 6篇2018
  • 4篇2017
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种保健型眼镜装饰物
本实用新型公开了一种保健型眼镜装饰物，包括卡扣体，所述卡扣体上设置有凹槽，所述凹槽内填充有硅藻土层，所述硅藻土层的空隙中负载有提神醒脑的精油微胶囊。本实用新型用于设置于两侧的眼镜腿上，通过在眼镜装饰物上设置精油微胶囊，当...
马琳雷丹丹张帅苗磊
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一种生长低缺陷碳化硅单晶的方法
本发明公开了一种生长低缺陷碳化硅单晶的方法，属于人工晶体材料领域。该方法采用物理气相传输法制备SiC单晶，将坩埚上盖温度控制在2350～2450℃，生长速率为0.24～0.5mm/h，轴向温度的梯度控制在18～25℃/m...
胡登卫张珍苗磊韩银凤翟乐赵立芳凡明锦杨得锁王晓玲
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一种[100]方向织构化钛酸钡压电陶瓷制备方法
本发明公开了一种[100]方向织构化钛酸钡压电陶瓷制备方法。该方法以二维钛酸钡介观晶体和钛酸钡粉末为原料，采用流延法将浆料制备膜片，膜片制成生坯后经过热处理，得到[100]方向织构化钛酸钡陶瓷。该方法利用压电材料各向异性...
胡登卫康芳赵青苗磊张珍王艳程花蕾凡明锦杨得锁王晓玲
一种先兆性SrTiO<Sub>3</Sub>/CaTiO<Sub>3</Sub>复合储能陶瓷的制备方法
本发明公开了一种先兆性SrTiO<Sub>3</Sub>/CaTiO<Sub>3</Sub>复合储能陶瓷的制备方法。该方法是先将片状H<Sub>1.07</Sub>Ti<Sub>1.73</Sub>O<Sub>4</Su...
胡登卫康芳牛小梅张珍苗磊王艳凡明锦王晓玲杨得锁
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一种H<Sub>2</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>9</Sub>纳米片及纳米BaTiO<Sub>3</Sub>的制备方法
本发明公开了一种H<Sub>2</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<Sub>9</Sub>纳米片及纳米BaTiO<Sub>3</Sub>的制备方法。该方法以K<Sub>2</Sub>Ti<Sub>4</Sub>O<...
胡登卫苗磊栾巧巧翟乐王冬梅窦树梅凡明锦杨得锁陈强温普红郭进宝
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一种适用于可穿戴设备的具有层状堆垛结构的纳米复合压电发生器制备方法
本发明公开了一种适用于可穿戴设备的具有层状堆垛结构的纳米复合压电发生器制备方法，复合纳米材料发电领域。该方法以二维形状压电纳米晶体、纳米氧化石墨烯或氧化石墨烯/TiO<Sub>2</Sub>纳米复合物、聚二甲基硅氧烷为原...
胡登卫姚方毅徐振华苗磊张珍杨水龙吕宏强温普红赵立芳
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二维板状KNbO<Sub>3</Sub>介观晶体的可控制备方法
本发明公开了一种二维板状KNbO<Sub>3</Sub>介观晶体的可控制备方法，属于功能性压电材料技术领域。该方法以Nb<Sub>2</Sub>O<Sub>5</Sub>和K<Sub>2</Sub>CO<Sub>3</S...
胡登卫杨旦旦王妍王玺陈诚李立杰荆飞苗磊
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二维多孔结构氧化石墨烯的可控制备方法
本发明公开了一种二维多孔结构氧化石墨烯的可控制备方法。该方法将过硫酸铵加入到氧化石墨烯分散液中，其中过硫酸铵与氧化石墨烯的质量比为5～11:1，加热回流，自然冷却至室温，得到二维多孔结构氧化石墨烯纳米材料。该方法得到的二...
张改妮任莉君胡登卫苗磊
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一种气体控制的压电陶瓷驱动阀片
本实用新型公开了一种气体控制的压电陶瓷驱动阀片，包括驱动装置本体，所述压电陶瓷的右端上方设置有上密封圈，所述压电陶瓷的下方安装有下密封圈，所述压电陶瓷的表面设置有抗氧化保护层，所述抗氧化保护层的内侧设置有耐压保护层，所述...
胡登卫荆飞马红涛梁俊坤梁钰华张瑞晨苗磊张珍任莉君张改妮
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一种[100]方向织构化钛酸钡压电陶瓷制备方法
本发明公开了一种[100]方向织构化钛酸钡压电陶瓷制备方法。该方法以二维钛酸钡介观晶体和钛酸钡粉末为原料，采用流延法将浆料制备膜片，膜片制成生坯后经过热处理，得到[100]方向织构化钛酸钡陶瓷。该方法利用压电材料各向异性...
胡登卫康芳赵青苗磊张珍王艳程花蕾凡明锦杨得锁王晓玲
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