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石墨烯材料、器件与电路的研究现状被引量：2: 2015年; 简单介绍了石墨烯优异的电学特性及主要国家的发展规划。详细论述了石墨烯材料制备技术的发展现状,如SiC外延法和CVD法的优缺点和目前的技术水平,其中SiC外延法生长的石墨烯尺寸达4英寸(1英寸=2.54 cm),迁移率高;CVD法生长的石墨烯尺寸达30英寸以上,质量好,基本能满足石墨烯器件和电路的应用需求。从RF器件和电路、数字逻辑器件和电路以及THz器件和电路几个方面重点阐述了石墨烯电子器件和电路的最新研究进展,目前石墨烯RF晶体管在栅长分别为67和140 nm时,截止频率fT分别为427和300 GHz,而石墨烯逻辑器件在带隙研究的推动下,导通关断电流比(Ion/Ioff)已达到107。最后,从石墨烯材料制备和电子器件与电路方面对其发展方向进行了总结。; 王宗成王淑华; 关键词：石墨烯逻辑器件

多晶Sb_(2)Se_(3)薄膜的载流子扩散复合研究: 2024年; 研究Sb_(2)Se_(3)中的载流子复合和扩散对提高其光电性能至关重要。瞬态吸收光谱技术可以深入地描述材料载流子的复合、转移瞬态行为,这有助于理解材料的光物理特性,表征光电材料或器件的性能。测试不同激发波长和激发密度下的多晶Sb_(2)Se_(3)薄膜的瞬态吸收光谱。首先分析了瞬态吸收光谱的主要特征,然后提取了自由载流子复合动力学曲线,利用载流子的扩散复合方程对自由载流子的动力学曲线进行拟合。研究得到载流子双极性扩散系数D为1.80×10^(-6)m^(2)/s,载流子表面复合速率S为1400m/s,一阶载流子复合系数k1为2.50×10^(10)~4.50×10^(10)s^(-1),三阶俄歇复合系数k3为1.50×10^(-40)~8.00×10^(-40)m^(6)/s。研究结果有助于加深对Sb_(2)Se_(3)薄膜载流子复合的理解。; 周青山冯博浩舒京婷任佳欢王宗成党伟; 关键词：瞬态吸收光谱自由载流子扩散

108 GHz功率放大器模块研制被引量：2: 2017年; 介绍了105~108 GHz频段功率放大器模块的设计和制作。模块由波导微带转换、功率芯片及芯片偏置电路组成。讨论了放大模块的设计及加工测试过程,并对模块中的关键技术波导-微带转换进行详细阐述。波导-微带转换采用E面微带探针激励完成。通过理论分析及仿真优化后设计出转换模型并制作出实物进行测试。单个转换在100~110 GHz频段内插入损耗小于0.6 d B,回波小于-10 d B。测试结果表明设计的波导-微带转换具有插入损耗小,工作频段宽的优点。采用此转换制作的功率放大模块在105~108 GHz频段上增益大于13 d B,输出功率大于200 m W,达到预期设计指标。; 林勇乔明昌王宗成周玉梅; 关键词：W波段功率放大器微带探针氮化镓

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王宗成