吴振兴
- 作品数：5 被引量：17H指数：2
- 供职机构：深圳大学材料学院深圳市特种功能材料重点实验室更多>>
- 发文基金：广东省科技计划工业攻关项目国家自然科学基金深圳市科技计划项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学化学工程电气工程更多>>
- 增强调制掺杂Si_(80)Ge_(20)基热电材料功率因子的研究被引量：2
- 2013年
- 采用成熟工艺制备了N型、P型调制掺杂型Si80Ge20基固溶体合金及等化学计量比的均匀掺杂型Si80Ge20基固溶体合金,重点研究了两类固溶体合金的热电性能。结果表明:温度为773 K时,N型系列、P型系列,调制掺杂型固溶体合金较均匀掺杂型的功率因子分别提高了13.6%和49.2%,热电优值ZT分别提高了7.9%和12.9%。
- 龚晓钟吴振兴刘正楷王涵彭雨辰汤皎宁
- 关键词：热电材料功率因子热电性能调制掺杂
- N型和P型Si_(80)Ge_(20)合金制备及热电性能被引量：2
- 2013年
- 对N型Si80Ge20(P4)x及P型Si80Ge20Bx固溶体合金的化学计量比进行了研究,采用已总结出的最佳工艺条件,制备了一系列N型、P型固溶体合金,并比较了各系列样品的热电性能。结果表明,x=1.5的N型Si80Ge20(P4)x固溶体合金具备良好的热电性能,与未掺杂Si80Ge20固溶体合金相比,最高热电优值ZT为0.651,提高了3.34倍。x=1.5的P型Si80Ge20Bx固溶体合金也具备较佳的热电性能,最高热电优值(ZT)值为0.538。
- 毛斐吴振兴汤皎宁王涵刘正楷龚晓钟
- 关键词：热电材料粉末冶金热电性能
- 热电材料SiGe合金的制备被引量：10
- 2012年
- 以硅粉、锗粉为原料,利用高能球磨法,通过改变球磨参数制备硅锗合金。并采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)以及差示扫描量热分析仪(DSC)对实验产物进行表征。结果表明,利用行星式高能球磨仪使配比为Si0.9Ge0.1硅锗粉末达到合金化的最佳球磨参数是:转速为500 r/min,球磨时间为20 h,球料比为20∶1,这一参数能制备出配比为Si0.8Ge0.2的硅锗合金。在该条件下制备出的合金熔点为1388℃。
- 龚晓钟吴振兴彭雨辰朱晓旋张倩瑶范媛汤皎宁
- 关键词：高能球磨法
- Sm-Co合金纳米线的电沉积制备及磁性能被引量：2
- 2010年
- 以自制的孔径为80～100nm的AAO为模板,在低温熔融盐体系中采用直流电沉积法制备了Sm-Co合金纳米线阵列。SEM观测发现,Sm-Co合金纳米线排列有序,直径为80～100nm,与AAO模板孔径基本一致;通过调节电沉积时间,可以控制Sm-Co纳米线的长度。用1 mol/dm3的NaOH将模板溶掉后进行TEM检测,Sm-Co合金纳米线直径约为100nm,与模板孔径基本吻合;XRF测定表明,纳米线组成为Sm-Co合金,其原子比为1∶5;XRD谱显示所得到的Sm-Co合金纳米线为非晶态。纳米线的最大磁能积为179.2kJ/m3,说明Sm-Co合金纳米线阵列具有很好的磁存储能力。
- 龚晓钟吴振兴杨宇涛田鹏潘良汤皎宁
- 关键词：纳米线电沉积磁性能
- 高度有序多孔阳极氧化铝制备工艺的研究被引量：3
- 2010年
- 影响多孔阳极氧化铝(porous anodica lumina,PAA)形貌及结构等的因素有很多,如抛光铝片的表面粗糙度、电解液温度、氧化电压、氧化时间、搅拌速率等。本文采用二次阳极氧化法,以草酸为电解液,研究了高度有序AAO模板制备过程的主要工艺条件,并采用扫描电子显微镜对模板的形貌进行表征。结果表明,在电解液温度为12℃,氧化电压为40V能够得到高度有序的、孔径为80nm左右的多孔阳极氧化铝膜。
- 吴振兴潘良王晓慧龚晓钟
- 关键词：阳极氧化多孔氧化铝纳米材料
