- SiC纳米线增强增韧C/C-SiC-ZrB2复合材料
- 为了提高 C/C-SiC-ZrB2 复合材料的断裂韧性和强度,在其制备过程中引入原位生长的SiC 纳米线,从而得到SiC 纳米线(SiCNW)增强的C/C-SiC-ZrB2 复合材料。其制备过程为：首先采用等压沉积炉制备...
- 刘跃付前刚王贝贝
- 关键词：SIC纳米线力学性能
- 一种碳化硅纳米线增强C/C-SiC-ZrB<Sub>2</Sub>陶瓷基复合材料的制备方法
- 本发明涉及一种碳化硅纳米线增强C/C‑SiC‑ZrB<Sub>2</Sub>陶瓷基复合材料的制备方法，将预处理的碳纤维预制体进行热处理，可得到碳化硅纳米线。采用溶胶凝胶碳热反应法制备的碳化硅纳米线在多孔碳/碳复合材料内部...
- 付前刚刘跃李贺军李克智林红娇王贝贝
- 文献传递
- 一种SiC纳米线和SiC‑MoSi<sub>2</sub>‑CrSi<sub>2</sub>涂层共生长的制备方法
- 本发明涉及一种SiC纳米线和SiC‑MoSi<Sub>2</Sub>‑CrSi<Sub>2</Sub>涂层共生长的制备方法，利用包埋法在C/C复合材料表面制备了SiC纳米线和SiC‑MoSi<Sub>2</Sub>‑Cr...
- 郭领军霍彩霞刘跃寇钢王昌聪徐东东
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- 一种碳/碳复合材料表面晶粒细小碳化硅涂层的制备方法
- 本发明涉及一种碳/碳复合材料表面晶粒细小碳化硅涂层的制备方法，对经打磨抛光清洗干燥后的碳/碳复合材料进行原子氧氧化处理，原子氧氧化处理后碳/碳复合材料表面呈现“绒状”，这些绒状表面可提供大量的形核点，有助于SiC涂层的形...
- 郭领军霍彩霞李贺军黎云玉刘跃沈庆凉寇钢
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- 反应熔渗法制备超高温陶瓷改性C/C复合材料的研究
- 碳/碳(C/C)复合材料具有低密度、高比强度、高比模量、优异的高温力学性能，是新一代先进飞行器热防护和动力系统的主要备选材料。由于C/C复合材料较高的氧化敏感性，严重限制了其在航空航天领域的应用。 为了拓宽C/C复合材...
- 刘跃
- 关键词：烧蚀性能超高温陶瓷
- 一种碳化硅纳米线增强C/C‑SiC‑ZrB<Sub>2</Sub>陶瓷基复合材料的制备方法
- 本发明涉及一种碳化硅纳米线增强C/C‑SiC‑ZrB<Sub>2</Sub>陶瓷基复合材料的制备方法，将预处理的碳纤维预制体进行热处理，可得到碳化硅纳米线。采用溶胶凝胶碳热反应法制备的碳化硅纳米线在多孔碳/碳复合材料内部...
- 付前刚刘跃李贺军李克智林红娇王贝贝
- 一种碳/碳复合材料表面晶粒细小碳化硅涂层的制备方法
- 本发明涉及一种碳/碳复合材料表面晶粒细小碳化硅涂层的制备方法，对经打磨抛光清洗干燥后的碳/碳复合材料进行原子氧氧化处理，原子氧氧化处理后碳/碳复合材料表面呈现“绒状”，这些绒状表面可提供大量的形核点，有助于SiC涂层的形...
- 郭领军霍彩霞李贺军黎云玉刘跃沈庆凉寇钢
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- 一种石墨烯改性纸基摩擦材料及制备方法
- 本发明涉及一种石墨烯改性纸基摩擦材料及制备方法，在配方体系中以摩擦性能调节剂的方式引入石墨烯，纸基摩擦材料中各组分的质量分数分别为增强纤维15‑35％、填料10‑20％、摩擦性能调节剂15‑25％、粘结剂25‑45％、石...
- 付前刚王贝贝刘跃李贺军李克智
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- 反应熔体渗透法制备C/C-SiC复合材料的微观结构及抗氧化性能被引量：4
- 2016年
- 采用反应熔渗法(RMI)制备了C/C-Si C复合材料,对比研究了不同密度C/C预制体所制备C/C-Si C复合材料在1 500℃静态空气环境中抗氧化性能和1 500℃室温抗热震性能,借助X射线衍射分析仪(XRD)与扫描电子显微镜(SEM)对C/C-Si C复合材料的相组成及微观形貌进行了分析。结果表明,密度为1.0 g/cm^3的C/C复合材料孔径分布在10~100μm范围,有利于液相Si的渗入,进而可获得高致密度的C/C-Si C复合材料;而密度为1.7 g/cm^3的C/C复合材料因孔径太小(<10μm),不利于Si熔体的渗入,仅能在C/C复合材料表面形成Si C涂层。由于C/C复合材料与Si C的热膨胀系数不同,在氧化和热震试验过程易造成Si C涂层开裂,致使用密度为1.7 g/cm^3的C/C预制体制备的C/C-Si C复合材料抗氧化与抗热震性能下降。而密度为1.0 g/cm^3的C/C预制体制备的复合材料内部致密的Si C基体与低密度C/C复合材料形成镶嵌界面,有效缓解热膨胀系数不匹配而造成的缺陷,从而具有优异的抗氧化和抗热震性能。
- 刘跃付前刚李贺军李关美
- 关键词：抗氧化性能抗热震性能
- 一种SiC纳米线和SiC-MoSi2-CrSi2涂层共生长的制备方法
- 本发明涉及一种SiC纳米线和SiC‑MoSi<Sub>2</Sub>‑CrSi<Sub>2</Sub>涂层共生长的制备方法，利用包埋法在C/C复合材料表面制备了SiC纳米线和SiC‑MoSi<Sub>2</Sub>‑Cr...
- 郭领军霍彩霞刘跃寇钢王昌聪徐东东
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