马行空
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 供职机构：中国人民解放军更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 基于硅衬底静电感应晶体管器件仿真与研究被引量：2
- 2016年
- 针对静电感应晶体管理论研究迟滞于实践过程,文中利用软件Silvaco Tcad,从器件仿真入手,对影响硅基表面栅静电感应晶体管器件电学性能进行了理论研究。仿真得到了反偏栅压约为0 V、漏电压<20 V时,器件表现类五极管饱和特性曲线,器件电流约为10^(-5)A,此时沟道状态为预夹断。当反偏栅压为-1.5 V、漏电压逐渐增大到300 V时,器件表现为类三极管不饱和特性曲线,器件电流约为10^(-6)A,此时沟道状态为完全夹断,研究结果静电感应晶体管工艺实践提供了参考。
- 王富强瞿宜斌马行空
- 关键词：静电感应晶体管
- 表面栅静电感应晶体管沟道势垒形成机理研究
- 2015年
- 为了研究静电感应晶体管(SIT)势垒形成机理,本文利用Silvaco Tcad软件模拟,仿真分析了沟道势垒对栅、漏极电压的依赖关系。通过改变反偏栅压和漏偏压,得出了器件沟道在完全夹断状态下,沟道势垒成马鞍型分布。反偏栅压影响着器件导通和关断状态,漏偏压影响着势垒的高低,且二者相互依赖,共同影响着沟道势垒的形成。
- 王富强马行空瞿宜斌
- 关键词：静电感应晶体管
