韦小庆
- 作品数：4 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程更多>>
- 一种铜锌锡硫薄膜的制备方法
- 本发明提供一种铜锌锡硫薄膜的制备方法，包括步骤：1）以铜盐、锌盐、锡盐、硫脲四种化合物为原料，按原子比Cu/(Zn+Sn)=0.7~1，Zn/Sn=1~1.2的比例溶解于有机溶剂中形成铜锌锡硫溶液；2）将所述铜锌锡硫溶液...
- 姜海龙孟凡英黄勇亮韦小庆
- 文献传递
- CIGSeS薄膜太阳电池的H2S硫化研究
- 2020年
- 采用H2S硫化的方法制备铜铟镓硒硫(Cu(In1-xGax)(Se1-ySy)2,CIGSeS)吸收层,研究硫化温度和时间对CIGSeS吸收层和电池性能的影响。结果表明,550~580℃硫化处理时,电池的开路电压得到有效提升,但硫化温度为600℃时,薄膜表面出现局部开裂现象,电池短路电流和效率严重下降。硫化处理可促进铜铟镓硒(Cu(In1-xGax)Se2,CIGSe)吸收层内Ga元素向表面扩散,Ga和S的共同作用可有效提高吸收层表面带隙和太阳电池的开路电压。最终,采用580℃硫化30 min条件下制备的太阳电池开路电压比硫化处理前提高约80 mV,填充因子提高约5%,最高效率为13.69%,有效面积效率为14.62%。而采用580℃硫化10 min后再降温硫化20 min的变温硫化工艺不仅可减少热预算,而且可制备出同580℃恒温硫化30 min时转换效率相当的太阳电池。
- 王宪韩安军韩安军韦小庆刘正新
- 关键词：H2S硫化太阳电池开路电压
- 铜铟镓硒吸收层后处理方法及基于其的太阳电池制备方法
- 本发明提供一种铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的后处理方法及基于其的太阳电池制备方法，后处理方法包括：配置具有预设摩尔浓度碱性物质的刻蚀溶液，其中，所述预设摩尔浓度大于8mol/L；提供铜铟镓硒吸收层，并采用所述刻蚀溶液对所述...
- 王宪韩安军韦小庆黄勇亮刘正新
- 文献传递
- 铜铟镓硒吸收层后处理方法及基于其的太阳电池制备方法
- 本发明提供一种铜铟镓硒薄膜太阳电池吸收层的后处理方法及基于其的太阳电池制备方法，后处理方法包括：配置具有预设摩尔浓度碱性物质的刻蚀溶液，其中，所述预设摩尔浓度大于8mol/L；提供铜铟镓硒吸收层，并采用所述刻蚀溶液对所述...
- 王宪韩安军韦小庆黄勇亮刘正新
