何晓焜
- 作品数：1 被引量：3H指数：1
- 供职机构：江苏大学能源与动力工程学院更多>>
- 发文基金：江苏省普通高校研究生科研创新计划项目国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 垂直转盘式MOCVD反应器中GaN化学反应路径的影响研究被引量：3
- 2012年
- 对垂直转盘式MOCVD反应器生长GaN的气相化学反应路径进行研究。结合反应动力学模型,分别采用预混合进口但改变反应腔高度,以及采用环形分隔进口,对反应器的温场、流场和浓度场进行CFD数值模拟,由此确定反应器结构参数对化学反应路径的影响。通过观察主要含Ga粒子的浓度分布以及不同反应路径对生长速率的贡献,判断该反应器可能采取何种反应路径。研究发现,RDR反应器的主要反应路径是TMG热解为DMG,DMG为薄膜沉积的主要前体。反应腔高度变化对反应路径影响较小,但生长速率略有增大;当从预混合进口改为环形分隔进口时,生长更倾向于TMG热解路径,同时生长速率增大,但均匀性变差。
- 徐楠左然何晓焜于海群
- 关键词：生长速率MOCVDGAN
