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霍乾名

作品数：3 被引量：3H指数：1
供职机构：北京工商大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市属高等学校人才强教计划资助项目北京市教育委员会科技发展计划面上项目更多>>
相关领域：一般工业技术电气工程更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇SMCO
  • 3篇钐
  • 2篇金薄膜
  • 2篇铬层
  • 2篇合金
  • 2篇合金薄膜
  • 2篇磁性
  • 2篇磁性颗粒
  • 2篇磁耦合作用
  • 1篇退火
  • 1篇稀土
  • 1篇磁性能

机构

  • 3篇北京工商大学
  • 1篇北京科技大学

作者

  • 3篇李宝河
  • 3篇冯春
  • 3篇于广华
  • 3篇霍乾名
  • 2篇李宁

传媒

  • 1篇中国稀土学报

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 1篇2008
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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一种SmCo合金薄膜及其制备方法
本发明涉及高密度磁记录介质材料技术领域，公开了一种SmCo合金薄膜及其制备方法，该SmCo合金薄膜包括基底铬层、钐钴层和保护铬层，以钐钴层中的钐和钴的摩尔总量为基准，所述钐钴层中的钐含量为20‑60摩尔％。方法包括：在磁...
李宝河冯春李宁霍乾名于广华
文献传递
高钐含量SmCo磁记录薄膜材料的研究被引量：3
2008年
SmCo合金具有极高的单轴磁晶各向异性,成为未来高密度磁记录介质的候选材料之一。本文采用磁控溅射方法,在玻璃基片上制备了Cr(100 nm)/SmCo(50 nm)/Cr(20 nm)结构的SmCo薄膜,SmCo层中Sm含量为35%(原子分数)。利用综合物性测试系统(PPMS)和X射线衍射(XRD)对薄膜的磁性能和晶体学结构进行了测试。结果表明,通过550℃退火20 min可以获得很好的硬磁性能,矫顽力Hc达到了3183kA.m-1,XRD结果表明薄膜中同时存在磁性相SmCo5和非磁性相SmCo2等。高Sm含量的SmCo薄膜在退火温度为450℃时开始晶化,退火温度达到550℃时,晶化进行的比较完全。
霍乾名李宝河冯春于广华
关键词：磁性能退火稀土
一种SmCo合金薄膜及其制备方法
本发明涉及高密度磁记录介质材料技术领域，公开了一种SmCo合金薄膜及其制备方法，该SmCo合金薄膜包括基底铬层、钐钴层和保护铬层，以钐钴层中的钐和钴的摩尔总量为基准，所述钐钴层中的钐含量为20?60摩尔％。方法包括：在磁...
李宝河冯春李宁霍乾名于广华
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