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顾晓文

作品数:35 被引量:1H指数:1
供职机构:中国电子科技集团公司第五十五研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信化学工程自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 34篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 18篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 21篇波导
  • 12篇光波
  • 10篇石墨
  • 10篇石墨烯
  • 7篇芯片
  • 7篇光栅
  • 6篇探测器
  • 5篇信号
  • 5篇混频
  • 4篇端面耦合
  • 4篇信号处理
  • 4篇铌酸锂
  • 4篇铌酸锂光波导
  • 4篇模斑转换器
  • 4篇晶体管
  • 4篇混频器
  • 4篇光波导芯片
  • 4篇光信号
  • 4篇光信号处理
  • 4篇包层

机构

  • 35篇中国电子科技...
  • 1篇南京中电芯谷...

作者

  • 35篇顾晓文
  • 13篇孔月婵
  • 10篇吴云
  • 9篇牛斌
  • 5篇陈堂胜
  • 1篇周建军
  • 1篇唐光华
  • 1篇徐鹏霄
  • 1篇郁鑫鑫

传媒

  • 1篇光电子技术

年份

  • 7篇2024
  • 4篇2023
  • 5篇2022
  • 6篇2021
  • 8篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
35 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种光波导群折射率测量方法及装置
本发明公开了一种光波导群折射率测量方法及装置,方法包括:输出光载波至光单边带调制器,矢量网络分析仪端口一输出的射频信号加载到调制器对光波进行调制;调制后的光信号耦合到第一条光波导中,通过光波导芯片后耦合输出到光电探测器中...
顾晓文王琛全钱广牛斌
基于铌酸锂薄膜的新型阵列波导光栅
本发明公开了一种基于铌酸锂薄膜的新型阵列波导光栅,其主要结构包括输入波导、输入端自由传输区、直线型阵列波导、输出端自由传输区、输出波导以及错位分布于阵列波导之间的正负电极。相较于传统含弯曲波导的阵列波导结构,本发明主要结...
王琛全钱广唐杰顾晓文周奉杰孔月婵
文献传递
一种光波导传输损耗测量方法
本发明涉及一种光波导传输损耗测量方法,包括如下步骤:1)宽谱光源输出耦合到第一条光波导中,光波导传输后,通过光波导芯片耦合输出到高精度光谱仪中,光谱仪测得第一条F‑P谐振器干涉条纹;2)宽谱光源输出耦合到第二条不同长度的...
顾晓文周奉杰牛斌
文献传递
一种石墨烯场效应晶体管的钝化方法
本发明公开了一种石墨烯场效应晶体管的钝化方法,使用电子束负胶对栅极进行保护,再旋涂、固化BCB进行钝化处理,具体制作步骤如下:(1)在石墨烯晶体管表面涂上一层电子束负胶;(2)使用电子束工艺在栅极金属上曝光,显影后留下负...
曹正义吴云魏仲夏顾晓文
文献传递
基于迭代算法的新型阵列波导光栅及其设计方法
本发明公开了一种基于迭代算法的新型阵列波导光栅及其设计方法,该方法基于阵列波导光栅的基本理论,首先确定器件的各项参数,包括罗兰圆直径、阵列波导数、相邻阵列波导长度差等;通过器件几何布局与结构尺寸递推,并自定义第1级阵列波...
王琛全顾晓文唐杰钱广黄鹏程
一种LNOI悬空模斑转换器及其工艺实现方法
本发明公开了一种LNOI悬空模斑转换器及其工艺实现方法,该装置包括光纤固定槽、光耦合端面、SiO<Sub>2</Sub>悬臂梁支撑结构、SiO<Sub>2</Sub>悬空光波导、LNOI锥形芯层、过渡结构、LNOI光波导...
钱广周奉杰唐杰顾晓文孔月婵陈堂胜
文献传递
氮化硅光波导器件和石墨烯探测器集成芯片及其制作方法
本发明是一种氮化硅光波导器件和石墨烯探测器集成芯片及其制作方法,其结构包括氮化硅垂直耦合光栅、氮化硅光波导器件和石墨烯探测器;其中氮化硅垂直耦合光栅为光信号输入口,连接氮化硅光波导器件;氮化硅光波导器件对光信号进行处理,...
顾晓文吴云牛斌曹正义
文献传递
一种硅基纳米级弯曲切趾光栅的制备方法
本发明公开了一种硅基纳米级弯曲切趾光栅的制备方法,包括:对衬底进行表面清洁及热处理,衬底为SOI材料;涂覆电子束抗蚀剂UV135,电子束曝光写标记;蒸发Ti/Pt合金,金属剥离;涂覆高分辨率电子束抗蚀剂ZP520A,进行...
王艳徐鹏霄王东辰唐光华顾晓文周奉杰
文献传递
一种光波导群折射率测量方法及装置
本发明公开了一种光波导群折射率测量方法及装置,方法包括:输出光载波至光单边带调制器,矢量网络分析仪端口一输出的射频信号加载到调制器对光波进行调制;调制后的光信号耦合到第一条光波导中,通过光波导芯片后耦合输出到光电探测器中...
顾晓文王琛全钱广牛斌
文献传递
一种采用介质牺牲层工艺制备石墨烯场效应晶体管的方法
本发明公开了一种采用介质牺牲层工艺制备石墨烯场效应晶体管的方法,包括步骤如下:(1)石墨烯转移;(2)隔离区工艺;(3)介质牺牲层生长;(4)源/漏电极制备;(5)自对准工艺;(6)栅电极制备;完成石墨烯场效应晶体管制备...
曹正义吴云顾晓文魏仲夏
共4页<1234>
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